FF33MR12W1M1HPB11BPSA1

18 960,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 от Infineon

Общее описание: FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 от Infineon - это мощный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для эффективного управления силовыми цепями в различных приложениях. Данный модуль разработан для повышения производительности и надежности силовых систем, включая промышленные приводы, системы электротранспорта, автомобильные инверторы и другие высокомощные приложения.

Преимущества:

  • Высокая эффективность и производительность благодаря низким потерям при переключении и проводимости.
  • Высокая термическая надежность и устойчивость к перегреву.
  • Компактный дизайн, упрощающий интеграцию в системы с ограниченным пространством.
  • Надежная работа при высоких напряжениях и токах.

Недостатки:

  • Требуется тщательное управление тепловыми режимами для предотвращения перегрева.
  • Высокая стоимость по сравнению с аналогичными модулями меньшей мощности.
  • Необходимость специализированных драйверов для управления переключением.

Типовое использование:

  • Промышленные приводы и инверторы.
  • Системы электротранспорта и автомобили с электроприводом.
  • Солнечные и ветровые энергетические установки.
  • Бесперебойные источники питания (UPS).

Рекомендации по применению:

  • Обеспечьте эффективное охлаждение модуля с помощью радиаторов или водяного охлаждения.
  • Используйте подходящие драйверы для достижения оптимальной скорости переключения и минимизации потерь.
  • Проверьте электрические и термические параметры в соответствии с условиями реальной эксплуатации.

Основные технические характеристики:

  • Тип транзистора: IGBT
  • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (Vce): 1200В
  • Максимальный ток коллектора (Ic): 330А
  • Диапазон рабочих температур: от -40°C до +150°C
  • Корпус: Модуль
  • Тип вывода: Винтовое соединение

Возможные аналоги:

  • MG150J2YS50 от Toshiba: IGBT модуль с аналогичными характеристиками.
  • CM400DY-24A от Mitsubishi: Высокомощный IGBT модуль для промышленных приложений.
  • AUIRG50B60 от International Rectifier: Низковольтный IGBT для автомобильных применений.

Убедитесь в соответствии выбранного аналога по всем критическим параметрам перед заменой.

Заключение

FF33MR12W1M1HPB11BPSA1 от Infineon представляет собой мощный и эффективный IGBT-модуль, идеально подходящий для использования в высокомощных и ответственных приложениях. Благодаря низким потерям и высокой термической устойчивости, данный модуль обеспечивает надежную работу даже в самых сложных условиях эксплуатации.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК