FF33MR12W1M1HB11BPSA1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
MOSFET Модуль FF33MR12W1M1HB11BPSA1 от Infineon
Общее описание
FF33MR12W1M1HB11BPSA1 — это высокопроизводительный IGBT модуль (модуль биполярного транзистора с изолированным затвором) производства Infineon Technologies. Он предназначен для использования в мощных инверторах и силовых преобразовательных системах. Модуль сочетает в себе передовые технологии Infineon для обеспечения высокой эффективности и надежности.
Преимущества
- Высокий КПД: Современные технологии позволяют снизить потери на переключение и проводимость, обеспечивая высокую эффективность работы.
- Высокая надежность: Модуль спроектирован для длительной работы при высоких температурах и тяжелых режимах эксплуатации.
- Компактный дизайн: Малый форм-фактор позволяет сократить размеры конечного устройства.
- Широкий температурный диапазон: Позволяет использовать модуль в различных климатических условиях.
- Высокая пакетная плотность: Обеспечивает более экономное использование пространства на плате.
Недостатки
- Стоимость: Высокопроизводительные модули могут быть довольно дорогими.
- Требование к тепловому управлению: Высокая мощность требует эффективного теплоотвода.
Типовое использование
- Инверторы для солнечных панелей
- Частотные преобразователи
- Приводы для электродвигателей
- Системы бесперебойного питания (UPS)
- Сварочные аппараты
Рекомендации по применению
- Используйте эффективные системы охлаждения, такие как радиаторы и встроенные вентиляторы, для предотвращения перегрева модуля.
- Убедитесь в соответствии параметров питающего напряжения и выходных сигналов требованиям устройства.
- Применяйте фильтры для уменьшения электромагнитных помех и наводок.
- Наблюдайте за температурными режимами как модуля, так и всей системы в целом.
Основные технические характеристики
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 1200 В
- Максимальный ток коллектора (Ic): 33 А
- Максимальная мощность рассеивания (Pd): 500 Вт
- Температурный диапазон работы: -40°C до +150°C
- Скорость переключения (тр/офф): Высокая
Возможные аналоги
- FF50R12KT4 от Infineon
- SKM50GB123D от Semikron
- MG75Q1BS45 от Toshiba
Примечание: При выборе аналогов необходимо учитывать параметры и совместимость конкретного применения.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.