FF33MR12W1M1HB11BPSA1

17 520,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

MOSFET Модуль FF33MR12W1M1HB11BPSA1 от Infineon

Общее описание

FF33MR12W1M1HB11BPSA1 — это высокопроизводительный IGBT модуль (модуль биполярного транзистора с изолированным затвором) производства Infineon Technologies. Он предназначен для использования в мощных инверторах и силовых преобразовательных системах. Модуль сочетает в себе передовые технологии Infineon для обеспечения высокой эффективности и надежности.

Преимущества

  • Высокий КПД: Современные технологии позволяют снизить потери на переключение и проводимость, обеспечивая высокую эффективность работы.
  • Высокая надежность: Модуль спроектирован для длительной работы при высоких температурах и тяжелых режимах эксплуатации.
  • Компактный дизайн: Малый форм-фактор позволяет сократить размеры конечного устройства.
  • Широкий температурный диапазон: Позволяет использовать модуль в различных климатических условиях.
  • Высокая пакетная плотность: Обеспечивает более экономное использование пространства на плате.

Недостатки

  • Стоимость: Высокопроизводительные модули могут быть довольно дорогими.
  • Требование к тепловому управлению: Высокая мощность требует эффективного теплоотвода.

Типовое использование

  • Инверторы для солнечных панелей
  • Частотные преобразователи
  • Приводы для электродвигателей
  • Системы бесперебойного питания (UPS)
  • Сварочные аппараты

Рекомендации по применению

  • Используйте эффективные системы охлаждения, такие как радиаторы и встроенные вентиляторы, для предотвращения перегрева модуля.
  • Убедитесь в соответствии параметров питающего напряжения и выходных сигналов требованиям устройства.
  • Применяйте фильтры для уменьшения электромагнитных помех и наводок.
  • Наблюдайте за температурными режимами как модуля, так и всей системы в целом.

Основные технические характеристики

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 1200 В
  • Максимальный ток коллектора (Ic): 33 А
  • Максимальная мощность рассеивания (Pd): 500 Вт
  • Температурный диапазон работы: -40°C до +150°C
  • Скорость переключения (тр/офф): Высокая

Возможные аналоги

  • FF50R12KT4 от Infineon
  • SKM50GB123D от Semikron
  • MG75Q1BS45 от Toshiba

Примечание: При выборе аналогов необходимо учитывать параметры и совместимость конкретного применения.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК