FF2MR12KM1HPHPSA1

145 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

FF2MR12KM1HPHPSA1 от Infineon

Общее описание:

FF2MR12KM1HPHPSA1 — это полумостовой модуль MOSFET на основе карбида кремния (SiC) от компании Infineon Technologies. Он предназначен для применения в системах высокой мощности, требующих высоких рабочих напряжений и токов. Благодаря использованию технологии SiC, этот модуль предлагает улучшенные характеристики, такие как высокая энергоэффективность и повышенная тепловая стойкость.

Преимущества:

  • Высокая энергоэффективность: значительно снижаются потери за счет низкого сопротивления перехода (Rds On).
  • Высокая частота переключения: позволяет сократить размеры индуктивностей и конденсаторов, используемых в схеме.
  • Улучшенная тепловая стойкость: может работать при высоких температурах.
  • Компактность: модульный корпус позволяет проще собирать и монтировать компоненты в производственных условиях.

Недостатки:

  • Стоимость: модули на основе SiC, как правило, дороже аналогов на основе кремния.
  • Требования к управлению: необходимы дополнительные меры для управления таким типом силовых устройств.

Типовое использование:

  • Инверторы для солнечных панелей.
  • Электротранспорт и зарядные станции.
  • Электроприводы и системы управления двигателями.
  • Преобразователи мощности и источники бесперебойного питания (ИБП).

Рекомендации по применению:

  1. Охлаждение: обеспечьте эффективное охлаждение модулей для поддержания их рабочих характеристик.
  2. Управление: используйте драйверы с хорошими характеристиками по скорости и уровню напряжения.
  3. Монтаж: обеспечьте правильное механическое крепление и электрическое подключение.

Основные технические характеристики:

Параметр Значение
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200 В (1.2 кВ)
Ток стока, непрерывный (Id) @ 25°C 500 А
Сопротивление перехода (Rds On) 2.13 мОм @ 500 А, 15 В
Напряжение на затворе (Vgs(th)) 5.15 В при токе 224 мА
Заряд затвора (Qg) 1340 нК при 15 В
Входная емкость (Ciss) 39700 пФ при 800 В
Температура эксплуатации (TJ) От -40°C до +150°C
Тип корпуса Модуль
Корпус поставщика AG-62MMHB

Возможные аналоги:

  • Ранее упомянутые MOSFET и транзисторы от Infineon: другие продукты из серии CoolSiC™.
  • MOSFET на основе SiC от других производителей:
    • C2M0025120D (Cree/ Wolfspeed)
    • SCT3080AL (ROHM)
    • SCT2450KEC (ROHM)

Использование FF2MR12KM1HPHPSA1 в вашей схеме поможет вам улучшить энергетическую эффективность и надежность вашей системы, особенно в условиях высоких напряжений и температур.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК