FF2MR12KM1HOSA1

218 160,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Infineon FF2MR12KM1HOSA1

Общее описание

Infineon FF2MR12KM1HOSA1 — это модуль MOSFET с использованием технологии Silicon Carbide (SiC), предназначенный для работы с напряжением до 1200 В (1.2 кВ) и постоянным током до 500 А при температуре корпуса. Продукт обрамлён в корпус AG-62MM и предназначен для монтажа на шасси.

Преимущества

  • Высокое напряжение пробоя (до 1200 В), что позволяет использовать модуль в высоковольтных приложениях.
  • Высокий ток до 500 А при 25°C, что позволяет использовать модуль в мощных системах.
  • Технология SiC обеспечивает улучшение эффективности и снижение тепловых потерь сравнительно с традиционными кремниевыми компонентами.
  • Высокая термостойкость, диапазон рабочих температур от -40°C до 150°C.

Недостатки

  • Высокая стоимость в сравнении с MOSFET на кремниевой основе.
  • Требуется особая осторожность при монтаже и эксплуатации из-за высоких напряжений и токов.

Типовое использование

  • Преобразователи напряжения
  • Инверторы для солнечных панелей
  • Промышленные приводы
  • Высоковольтные источники питания

Рекомендации по применению

  • Убедитесь, что температурный режим поддерживается в пределах рекомендуемых значений, чтобы избежать перегрева компонента.
  • Используйте монтаж на шасси для эффективного отвода тепла.
  • Обеспечьте правильное управление напряжением затвор-исток, чтобы избежать повреждений.

Основные технические характеристики

  • Конфигурация: 2 N-Channel (Полумост)
  • Максимальная разность напряжений сток-исток (Vdss): 1200В
  • Постоянный ток стока (Id): 500А при 25°C (Tc)
  • Сопротивление канала (Rds On): 2.13 мОм при 500А, 15В
  • Пороговое напряжение затвор-исток (Vgs(th)): 5.15В при 224мА
  • Максимальный заряд затвора (Qg): 1340нК при 15В
  • Входная ёмкость (Ciss): 39700пФ при 800В
  • Диапазон рабочих температур: -40°C ~ 150°C (Tj)
  • Корпус: AG-62MM для монтажа на шасси

Возможные аналоги

  • Cree/C3M0065090J
  • Wolfspeed/C2M0025120D
  • ROHM/SCT2080KE

Заключение

Infineon FF2MR12KM1HOSA1 представляет собой высокоэффективный модуль на базе SiC, предназначенный для работы в высоковольтных и мощных приложениях. Его высокая емкость по току и напряжению делает его идеальным выбором для многих промышленных и энергетических приложений.

Надеюсь, это описание будет полезным для вашего интернет-магазина! Если нужны дополнения или изменения, дайте знать.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК