FF23MR12W1M1B11BOMA1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Информация о продукте: FF23MR12W1M1B11BOMA1 от Infineon
Общее описание: FF23MR12W1M1B11BOMA1 — это кремниевый карбидный (SiC) модуль IGBT последнего поколения от компании Infineon. Он предназначен для использования в современных силовых преобразователях и отличается высокой энергоэффективностью и улучшенными электротепловыми характеристиками.
Преимущества:
- Высокая эффективность работы благодаря использованию технологии SiC.
- Уменьшенные потери на переключение и проводимость.
- Улучшенные тепловые характеристики, что позволяет сократить требования к системам охлаждения.
- Высокая надежность и долговечность даже в жестких эксплуатационных условиях.
Недостатки:
- Высокая стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми IGBT.
- Требования к квалификации персонала для работы с SiC компонентами.
Типовое использование:
- Преобразователи частоты для двигателей.
- Инверторы для солнечных и ветроэнергетических установок.
- Высоковольтные источники питания и UPS-системы.
- Электротранспорт и зарядные станции для электромобилей.
Рекомендации по применению:
- Следует тщательно проектировать систему охлаждения для обеспечения оптимальных тепловых условий.
- Учесть более высокое рабочее напряжение и требования к изоляции компонентов и печатной платы.
- Обеспечить качественное крепление модуля к теплоотводу для улучшения теплопередачи.
Основные технические характеристики:
- Технология: Кремниевый карбид (SiC)
- Конфигурация: IGBT с диодом FWD
- Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (V_CE): 1200 В
- Максимальный ток коллектора (I_C) при 25°C: 50 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: -
- Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 23 мОм @ 50 А, 15 В
- Заряд затвора (Q_g): 125 нКл @ 15 В
- Коэффициент усиления тока (β): -
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
- Тип монтажа: Шасси (Chassis Mount)
- Корпус: Модуль (Module)
- Размеры корпуса: стандартные для IGBT модулей Infineon
Возможные аналоги:
- CМ123C12D от компании Cree, подобный SiC-IGBT модуль.
- Mitsubishi CM200DU-24NF как аналог на основе кремниевой технологии, с несколько меньшими характеристиками.
Используя FF23MR12W1M1B11BOMA1 от Infineon, можно значительно улучшить энергоэффективность и надежность силовых систем, особенно в приложениях, требующих высокой производительности и долговечности.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.