FF23MR12W1M1B11BOMA1

23 520,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Информация о продукте: FF23MR12W1M1B11BOMA1 от Infineon

Общее описание: FF23MR12W1M1B11BOMA1 — это кремниевый карбидный (SiC) модуль IGBT последнего поколения от компании Infineon. Он предназначен для использования в современных силовых преобразователях и отличается высокой энергоэффективностью и улучшенными электротепловыми характеристиками.

Преимущества:

  • Высокая эффективность работы благодаря использованию технологии SiC.
  • Уменьшенные потери на переключение и проводимость.
  • Улучшенные тепловые характеристики, что позволяет сократить требования к системам охлаждения.
  • Высокая надежность и долговечность даже в жестких эксплуатационных условиях.

Недостатки:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми IGBT.
  • Требования к квалификации персонала для работы с SiC компонентами.

Типовое использование:

  • Преобразователи частоты для двигателей.
  • Инверторы для солнечных и ветроэнергетических установок.
  • Высоковольтные источники питания и UPS-системы.
  • Электротранспорт и зарядные станции для электромобилей.

Рекомендации по применению:

  • Следует тщательно проектировать систему охлаждения для обеспечения оптимальных тепловых условий.
  • Учесть более высокое рабочее напряжение и требования к изоляции компонентов и печатной платы.
  • Обеспечить качественное крепление модуля к теплоотводу для улучшения теплопередачи.

Основные технические характеристики:

  • Технология: Кремниевый карбид (SiC)
  • Конфигурация: IGBT с диодом FWD
  • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (V_CE): 1200 В
  • Максимальный ток коллектора (I_C) при 25°C: 50 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: -
  • Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 23 мОм @ 50 А, 15 В
  • Заряд затвора (Q_g): 125 нКл @ 15 В
  • Коэффициент усиления тока (β): -
  • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
  • Тип монтажа: Шасси (Chassis Mount)
  • Корпус: Модуль (Module)
  • Размеры корпуса: стандартные для IGBT модулей Infineon

Возможные аналоги:

  • CМ123C12D от компании Cree, подобный SiC-IGBT модуль.
  • Mitsubishi CM200DU-24NF как аналог на основе кремниевой технологии, с несколько меньшими характеристиками.

Используя FF23MR12W1M1B11BOMA1 от Infineon, можно значительно улучшить энергоэффективность и надежность силовых систем, особенно в приложениях, требующих высокой производительности и долговечности.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК