FF1MR12KM1HHPSA1

180 960,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

FF1MR12KM1HHPSA1 от Infineon

Общее описание

FF1MR12KM1HHPSA1 — это силовой модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies. Этот компонент предназначен для использования в средне- и высокомощных приложениях, обеспечивая высокую эффективность, надежность и производительность.

Преимущества

  • Высокая эффективность: Низкие потери мощности благодаря передовой технологии.
  • Надежность: Высокая прочность и длительный срок службы даже при экстремальных эксплуатационных условиях.
  • Компактность: Эргономичный дизайн модуля позволяет экономить место на печатной плате.

Недостатки

  • Стоимость: Высокая стоимость по сравнению с аналогами из-за премиального качества и передовых характеристик.
  • Требования к охлаждению: Необходимость эффективного охлаждения для поддержания оптимальной работы.

Типовое использование

  • Промышленные инверторы: Используется для управления электродвигателями и электрическими приводами.
  • Силовые источники питания: Применяется в источниках питания для различных видов промышленного оборудования.
  • Ветрогенераторы и солнечные инверторы: Идеален для преобразователей энергии в системах альтернативной энергетики.

Рекомендации по применению

  • Качественное охлаждение: Обеспечьте хорошую теплопередачу (например, использование радиаторов и вентиляторов) для эффективной работы и продления срока службы модуля.
  • Тщательное проектирование схемы: При проектировании схемы внимательно рассчитывайте параметры для оптимальной эксплуатации.
  • Безопасное соединение: Убедитесь в надежности и безопасности соединений, чтобы исключить возможность короткого замыкания или перегрева.

Основные технические характеристики

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 1200 В
  • Максимальный ток коллектора (Ic): 100 А
  • Номинальное напряжение затвора-эмиттера (Vge): ±20 В
  • Тепловое сопротивление (Rth): 0.12 К/Вт
  • Частота переключения: до 20 кГц
  • Рабочая температура: -40°C до +150°C

Возможные аналоги

  • FF300R12KE3: Альтернативный модуль IGBT от Infineon, подходящий для аналогичных применений.
  • SKM100GB123D: Модуль от Semikron, который также может использоваться в инверторах и силовых источниках питания.
  • MG150Q2YS51: Продукт от Toshiba, предлагающий схожие характеристики и применение.

Заключение

FF1MR12KM1HHPSA1 от Infineon — это мощный и надежный модуль IGBT, идеально подходящий для широкого диапазона промышленных и энергетических приложений. При правильной установке и эксплуатации этот модуль предоставит высокую эффективность и долговечность, что делает его отличным выбором для современных электротехнических решений.


Если у вас возникли дополнительные вопросы или требуется более детальная информация по данному компоненту, пожалуйста, свяжитесь с нашей службой поддержки.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК