FF17MR12W1M1HPB11BPSA1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание компонента: FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 от Infineon
Общее описание
FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 - это мощный IGBT модуль производства компании Infineon. Он предназначен для использования в высоковольтных и высокомощных цепях, обеспечивая высокую эффективность и надежность. Этот модуль интегрирует передовые технологии Infineon и характеризуется низкими потерями и высокими характеристиками коммутации.
Преимущества
- Высокая эффективность: Низкие потери на проводимости и переключении.
- Надежность: Устойчив к перегрузкам и тепловым воздействиям.
- Универсальность: Подходит для широкого спектра приложений, от промышленных до энергетических систем.
- Компактные размеры: Уменьшают требования к пространству в конструкции.
Недостатки
- Требование к тепловому управлению: Может потребовать эффективного теплоотвода в условиях высокой мощности.
- Стоимость: Более высокая цена по сравнению с MOSFET-ами и стандартными биполярными транзисторами, что может увеличить общие затраты на проект.
Типовое использование
- Приводы двигателей: Управление электродвигателями большой мощности.
- Инверторы: Преобразование электрической энергии.
- Солнечные инверторы: Использование в системах возобновляемой энергетики.
- Передаточные системы электросетей: Высоковольтные передаточные системы.
- Электротранспорт: Силовые элементы систем тяги.
Рекомендации по применению
- Качество монтажа: Необходимо обеспечить надежное соединение для исключения механических и электрических неполадок.
- Теплоотвод: Используйте качественные радиаторы или активное охлаждение для улучшения теплоотвода.
- Экранирование: Минимизируйте электромагнитные помехи (EMI), следуя инструкциям производителя по монтажу.
Основные технические характеристики
- Тип транзистора: IGBT модуль
- Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (Vcem): 1200 В
- Максимальный ток коллектора (Ic): 170 A
- Пиковая мощность (Pdis): 728 Вт
- Переходное сопротивление (Rth(j-c)): 0.12 К/Вт
- Контрольное напряжение (Vge): ±20 В
- Частота переключения: Высокая
Возможные аналоги
- FS75R12KE3 от Infineon: Более низкое значение токовой нагрузки.
- SKM145GB12T4 от Semikron: Сравнимые характеристики напряжения, но другие параметры переключения.
- MG200Q1UK1 от Toshiba: Альтернативный производитель с другим набором характеристик.
Подробные технические характеристики и точные условия применения вы можете найти в официальной документации производителя.
Надеюсь, это описание будет полезным для вашего интернет-магазина! Если нужно добавить дополнительные сведения, дайте знать.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.