FF17MR12W1M1HPB11BPSA1

26 880,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание компонента: FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 от Infineon

Общее описание

FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 - это мощный IGBT модуль производства компании Infineon. Он предназначен для использования в высоковольтных и высокомощных цепях, обеспечивая высокую эффективность и надежность. Этот модуль интегрирует передовые технологии Infineon и характеризуется низкими потерями и высокими характеристиками коммутации.

Преимущества

  • Высокая эффективность: Низкие потери на проводимости и переключении.
  • Надежность: Устойчив к перегрузкам и тепловым воздействиям.
  • Универсальность: Подходит для широкого спектра приложений, от промышленных до энергетических систем.
  • Компактные размеры: Уменьшают требования к пространству в конструкции.

Недостатки

  • Требование к тепловому управлению: Может потребовать эффективного теплоотвода в условиях высокой мощности.
  • Стоимость: Более высокая цена по сравнению с MOSFET-ами и стандартными биполярными транзисторами, что может увеличить общие затраты на проект.

Типовое использование

  • Приводы двигателей: Управление электродвигателями большой мощности.
  • Инверторы: Преобразование электрической энергии.
  • Солнечные инверторы: Использование в системах возобновляемой энергетики.
  • Передаточные системы электросетей: Высоковольтные передаточные системы.
  • Электротранспорт: Силовые элементы систем тяги.

Рекомендации по применению

  • Качество монтажа: Необходимо обеспечить надежное соединение для исключения механических и электрических неполадок.
  • Теплоотвод: Используйте качественные радиаторы или активное охлаждение для улучшения теплоотвода.
  • Экранирование: Минимизируйте электромагнитные помехи (EMI), следуя инструкциям производителя по монтажу.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: IGBT модуль
  • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (Vcem): 1200 В
  • Максимальный ток коллектора (Ic): 170 A
  • Пиковая мощность (Pdis): 728 Вт
  • Переходное сопротивление (Rth(j-c)): 0.12 К/Вт
  • Контрольное напряжение (Vge): ±20 В
  • Частота переключения: Высокая

Возможные аналоги

  • FS75R12KE3 от Infineon: Более низкое значение токовой нагрузки.
  • SKM145GB12T4 от Semikron: Сравнимые характеристики напряжения, но другие параметры переключения.
  • MG200Q1UK1 от Toshiba: Альтернативный производитель с другим набором характеристик.

Подробные технические характеристики и точные условия применения вы можете найти в официальной документации производителя.


Надеюсь, это описание будет полезным для вашего интернет-магазина! Если нужно добавить дополнительные сведения, дайте знать.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК