FF17MR12W1M1HB70BPSA1

FF17MR12W1M1HB70BPSA1 от Infineon

Общее описание: FF17MR12W1M1HB70BPSA1 - это высокоэффективный модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Infineon, предназначенный для работы в критических условиях. Модуль сочетает в себе передовые технологии IGBT и диодный выпрямитель, что позволяет достичь высокой эффективности при эксплуатации в различных промышленных применениях.

Преимущества:

• Высокая мощность и эффективность
• Надежная работа в условиях высоких температур
• Быстрое переключение
• Низкие потери при переключении

Недостатки:

• Требует эффективного охлаждения
• Может быть дороже по сравнению с альтернативными решениями

Типовое использование:

• Инверторы для солнечных панелей
• Электрические приводы для промышленного оборудования
• Системы энергосбережения
• Переключающие источники питания

Рекомендации по применению: Рекомендуется использовать этот модуль в системах с высокими требованиями к мощности и эффективности, обеспечив надлежащую систему охлаждения для минимизации тепловых потерь и продления срока службы устройства.

Основные технические характеристики:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce): 1200 В
• Ток коллектора (Ic): 120 А
• Пиковый ток коллектора (Icp): 240 А
• Максимальная температура перехода (Tjmax): 150°C
• Корпус: 62 мм модуль

Возможные аналоги:

• FS450R12KE3 от Infineon
• MG300J2YS40 от Toshiba
• SKM200GB12T4 от Semikron

Использование FF17MR12W1M1HB70BPSA1 от Infineon в ваших проектах обеспечит стабильную и надежную работу высокомощных приложений с минимальными потерями и высокой эффективностью.