FF17MR12W1M1HB11BPSA1

MOSFET Модуль FF17MR12W1M1HB11BPSA1 от Infineon

Общее описание

Модуль FF17MR12W1M1HB11BPSA1 представляет собой мощный силовой MOSFET модуль на основе карбида кремния (SiC). Этот модуль от компании Infineon предназначен для применения в высоковольтных и высокоэффективных преобразователях энергии. Использование SiC технологии обеспечивает улучшенные характеристики по сравнению с традиционными кремниевыми аналогами.

Преимущества

• Высокая эффективность: применение SiC технологии позволяет значительно снизить потери энергии.
• Высокое напряжение пробоя: увеличенная устойчивость к высоким напряжениям до 1200В.
• Меньшие просто нагревание и потери энергии: меньшее тепловыделение при работе под полной нагрузкой.
• Компактные размеры: высокое отношение мощности к размеру модуля.

Недостатки

• Стоимость: более высокая цена по сравнению с традиционными кремниевыми компонентами.
• Особенности управления: могут потребоваться специализированные драйверы для управления SiC транзисторами.

Типовое использование

• Инверторы для солнечных панелей
• Электроприводы
• Быстрозарядные станции для электромобилей
• Индустриальные и коммерческие системы преобразования энергии

Рекомендации по применению

• Осуществляйте адекватное охлаждение: высокоэффективное тепловое управление важно для обеспечения стабильной работы.
• Используйте совместимые драйверы: для оптимального управления SiC MOSFET модулями.
• Проверяйте спецификации: всегда сверяйтесь с технической документацией, чтобы модуль соответствовал требованиям вашего проекта.

Основные технические характеристики

• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Конфигурация: -
• Напряжение исток-сток (Vdss): 1200В (1.2kВ)
• Ток - постоянный исток (Id) при 25°C: -
• Rds On (макс) при Id, Vgs: -
• Vgs(th) (макс) при Id: -
• Заряд затвора (Qg макс) при Vgs: -
• Входная емкость (Ciss макс) при Vds: -
• Максимальная мощность: -
• Рабочая температура: -
• Тип монтажа: Шасси
• Корпус/форм-фактор: Модуль
• Пакет поставщика: AG-EASY1B

Возможные аналоги

• FF11MR12W1M1B11BPSA1: Модуль с аналогичными характеристиками для менее мощных применений.
• FF19MR12W1M2B11: Модуль с улучшенными характеристиками по току и мощности.

Этот модуль FF17MR12W1M1HB11BPSA1 от Infineon идеально подходит для приложений, требующих высокой производительности и надежности в высоковольтных условиях эксплуатации.