EVLMG4LPWRBR1

EVLMG4LPWRBR1 от STM

Общее описание

Набор для разработки силовых решений EVLMG4LPWRBR1 от компании STMicroelectronics основан на применении высокоэффективного модуля MASTERGAN4L. Этот набор разработан для оценки и демонстрации возможностей высоковольтных интегральных решений в полумостовых конфигурациях на основе транзисторов GaN.

Преимущества

• Высокая эффективность: Использование GaN транзисторов обеспечивает снижение потерь и повышение КПД в сравнении с традиционными кремниевыми транзисторами.
• Компактный размер: Интегрированный подход позволяет сократить габариты конечного устройства и улучшить дизайн печатной платы.
• Простота использования: Набор предоставляет готовую платформу для быстрой оценки характеристик и тестирования решений на базе GaN транзисторов.

Недостатки

• Стоимость: Комплексные решения на основе GaN транзисторов обычно имеют более высокую стоимость по сравнению с кремниевыми аналогами.
• Требовательность к тепловым режимам: Для обеспечения надежной работы требуется тщательное проектирование системы охлаждения.

Типовое использование

• Адаптеры питания
• Корпоративные серверы и дата-центры
• Высокопроизводительные промышленные источники питания
• Электрические транспортные средства (EV)
• Системы управления двигателями

Рекомендации по применению

• Обеспечьте надлежащую вентиляцию и отвод тепла от ключевых компонентов.
• Используйте рекомендованные схемы подключения, приведенные в документации от STMicroelectronics.
• Проведите всестороннее тестирование в условиях эксплуатации, близких к реальным.

Основные технические характеристики

• Входное напряжение: до 600 В
• Выходной ток: до 10 А
• Рабочая частота: до 10 МГц
• Интеграция: Встроенные драйверы и GaN транзисторы
• Повышенное КПД: Благодаря использованию GaN технологий

Возможные аналоги

• EVAL-MODULFET от Infineon
• LTM4636EV от Analog Devices
• EVAL6206N от Texas Instruments

Заключение

EVLMG4LPWRBR1 от STMicroelectronics предоставляет удобную платформу для разработки, тестирования и внедрения высокоэффективных силовых решений на базе современных GaN технологий. Это отличное решение для тех, кто стремится использовать новейшие достижения в области силовой электроники, обеспечивая высокую производительность и эффективность своих продуктов.