EVLMG1LPBRDR1

24 240,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

EVLMG1LPBRDR1 - Опытный Комплект Полумоста на Основании GaN

Общее Описание

EVLMG1LPBRDR1 от STMicroelectronics - это опытный комплект для оценки производительности интегрированного модуля питания MASTERGAN1L, который оснащен двумя 650V GaN транзисторами (Галлий-Нитрид) и драйверами в одном корпусе. Данный комплект представляет собой полумостовой преобразователь, предназначенный для высокочастотных и высокоэффективных приложений.

Преимущества

  • Высокая Эффективность: Использование GaN транзисторов обеспечивает высокую эффективность работы, снижая потери на переключение.
  • Компактный Дизайн: Компактный корпус модуля MASTERGAN1L позволяет сократить занимаемое место на плате и снизить общие размеры конечного устройства.
  • Простота Использования: Опытный комплект готов к использованию и позволяет быстро приступить к разработке и тестированию.

Недостатки

  • Сложность Теплоотвода: Для обеспечения стабильной работы на высоких мощностях может потребоваться тщательно продуманный теплоотвод.
  • Высокая Чувствительность к Перенапряжению: GaN транзисторы чувствительны к перенапряжениям, что требует дополнительной защиты в цепи.

Типовое Использование

  • Приложения в высокочастотных источниках питания.
  • Серво-приводы и моторные контроллеры.
  • Зарядные устройства для электромобилей.
  • Преобразователи для солнечных панелей.

Рекомендации по Применению

  • Правильное Размещение Компонентов: Должно быть обеспечено минимальное расстояние между силовыми компонентами и драйверами для минимизации индуктивностей выводов.
  • Эффективное Управление Теплотой: Необходимо использовать теплоотводы или развивать конструкцию системы охлаждения для обеспечения надежной работы.
  • Защита от Перенапряжений: Включение схем защиты от перенапряжений и резких скачков напряжения для предотвращения выхода из строя GaN транзисторов.

Основные Технические Характеристики

  • Входное Напряжение: до 650V
  • Ток Выхода: До 10A
  • Рабочая Частота: до 1 MHz
  • Количество Каналов: 1 Полумост
  • Корпус Модуля: QFN 9x9 мм

Возможные Аналоги

  • EVAL-M1-IM818-A от Infineon, комплект для управления мотором с использованием 1200V транзисторов.
  • EVAL-600W-GAN-BRUSHLESS от GaN Systems, разработочная плата для бестрансформаторного двигателя с GaN транзисторами.

Эти аналоги могут предложить другие функции и характеристики, которые могут быть полезны для разных приложений.

Заключение

EVLMG1LPBRDR1 от STMicroelectronics представляет собой мощный и эффективный инструмент для оценки и разработки с использованием GaN полупроводников. Он идеально подходит для высокочастотных и высокоэффективных приложений, предлагая значительные преимущества в размерах и производительности.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК