EVALIHW65R62EDS06JTOBO1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Название продукта: EVALIHW65R62EDS06JTOBO1
Производитель: Infineon
Общее описание
EVALIHW65R62EDS06JTOBO1 – демонстрационная плата, разработанная компанией Infineon для оценки работы MOSFET транзистора IHW65R62EDS06J. Эта плата позволяет инженерам и разработчикам тестировать, анализировать и оптимизировать работу MOSFET транзисторов от Infineon в различных приложениях.
Преимущества
- Высокая эффективность: благодаря применению новейших технологий силовой электроники.
- Компактный дизайн: позволяет легко интегрировать плату в существующие разработки.
- Простота использования: готовое решение позволяет быстро начать испытания и оценку.
- Оптимизация теплового режима: продуманное расположение компонентов способствует эффективному рассеянию тепла.
Недостатки
- Стоимость: как и большинство демоплат, может быть относительно дорогостоящей для массового использования.
- Требуется опыт: для полноценной работы с платой требования к пользователю включают базовые знания в электронике и электротехнике.
Типовое использование
- Оценка характеристик MOSFET транзистора: позволяет провести тесты производительности и надежности.
- Разработка силовых модулей: идеально подходит для разработки мощных инверторов, преобразователей и других устройств силовой электроники.
- Обучение и обучение: используется в учебных заведениях для демонстрации работы современных силовых компонентов.
Рекомендации по применению
- Подготовьте безопасное рабочее место перед началом работы с платой.
- Убедитесь, что вы понимаете основные принципы работы с MOSFET транзисторами.
- Используйте рекомендуемое оборудование для измерений и тестирования.
- Следите за температурным режимом при проведении длительных тестов.
Основные технические характеристики
- Тип компонента: МОП-транзистор
- Рабочее напряжение: до 650 В
- Ток: до 62 А
- Тип корпуса: TO-247
- Управление: стандартное напряжение управления по затвору
- Особенности: низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)), высокая скорость переключения.
Возможные аналоги
- EVAL-IGBT-650V – от компании Infineon.
- C2M0025120D – демонстрационная плата от Cree для оценки MOSFET транзисторов.
Эта плата предоставляет инженерам и разработчикам мощный инструмент для тестирования и оптимизации силовых MOSFET транзисторов. Используйте данную плату для улучшения производительности ваших разработок и сокращения времени на проектирование.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.