EVALIHW65R62EDS06JTOBO1

19 680,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Название продукта: EVALIHW65R62EDS06JTOBO1

Производитель: Infineon


Общее описание

EVALIHW65R62EDS06JTOBO1 – демонстрационная плата, разработанная компанией Infineon для оценки работы MOSFET транзистора IHW65R62EDS06J. Эта плата позволяет инженерам и разработчикам тестировать, анализировать и оптимизировать работу MOSFET транзисторов от Infineon в различных приложениях.

Преимущества

  • Высокая эффективность: благодаря применению новейших технологий силовой электроники.
  • Компактный дизайн: позволяет легко интегрировать плату в существующие разработки.
  • Простота использования: готовое решение позволяет быстро начать испытания и оценку.
  • Оптимизация теплового режима: продуманное расположение компонентов способствует эффективному рассеянию тепла.

Недостатки

  • Стоимость: как и большинство демоплат, может быть относительно дорогостоящей для массового использования.
  • Требуется опыт: для полноценной работы с платой требования к пользователю включают базовые знания в электронике и электротехнике.

Типовое использование

  • Оценка характеристик MOSFET транзистора: позволяет провести тесты производительности и надежности.
  • Разработка силовых модулей: идеально подходит для разработки мощных инверторов, преобразователей и других устройств силовой электроники.
  • Обучение и обучение: используется в учебных заведениях для демонстрации работы современных силовых компонентов.

Рекомендации по применению

  • Подготовьте безопасное рабочее место перед началом работы с платой.
  • Убедитесь, что вы понимаете основные принципы работы с MOSFET транзисторами.
  • Используйте рекомендуемое оборудование для измерений и тестирования.
  • Следите за температурным режимом при проведении длительных тестов.

Основные технические характеристики

  • Тип компонента: МОП-транзистор
  • Рабочее напряжение: до 650 В
  • Ток: до 62 А
  • Тип корпуса: TO-247
  • Управление: стандартное напряжение управления по затвору
  • Особенности: низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)), высокая скорость переключения.

Возможные аналоги

  • EVAL-IGBT-650V – от компании Infineon.
  • C2M0025120D – демонстрационная плата от Cree для оценки MOSFET транзисторов.

Эта плата предоставляет инженерам и разработчикам мощный инструмент для тестирования и оптимизации силовых MOSFET транзисторов. Используйте данную плату для улучшения производительности ваших разработок и сокращения времени на проектирование.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК