DS2045AB-100#
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание DS2045AB-100# от Analog Devices / Maxim Integrated
Общее описание
DS2045AB-100# - это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) от компании Analog Devices / Maxim Integrated. Объем памяти составляет 1 Мбит, а интерфейс передачи данных осуществляется параллельно. Этот компонент подходит для хранения данных, которые должны быть доступны даже после выключения питания.
Преимущества
- Высокая скорость доступа: Время доступа всего 100 нс, что обеспечивает быструю передачу данных.
- Энергонезависимость: Данные сохраняются при отключении питания, что исключает риск потери информации.
- Широкий диапазон рабочих температур: От -40°C до 85°C, что делает компонент пригодным для использования в различных промышленных и потребительских приложениях.
Недостатки
- Устаревший компонент: Статус компонента "Obsolete" означает, что его производство прекращено, и новые разработки должны учитывать этот факт.
- Требования к напряжению: Рабочее напряжение составляет от 4.75V до 5.25V, что может не подойти для современных систем, работающих при более низких напряжениях.
Типовое использование
- Промышленные системы управления: Для хранения конфигурационных данных и журналов, которые должны быть сохранены при отключении питания.
- Медицинское оборудование: Для регистраций данных пациентов, которые не должны теряться при сбоях питания.
- Телекоммуникационные устройства: Для хранения важных параметров и настроек системы.
Рекомендации по применению
- Обеспечение стабильного питания: Для надежной работы обеспечьте стабильное питание в диапазоне 4.75V ~ 5.25V.
- Учёт температуры: Убедитесь, что устройство будет работать в рамках допустимого диапазона температур (-40°C ~ 85°C).
- Проверка доступности: Учтите, что компонент устарел, и может быть целесообразно рассмотреть аналогичные современные решения.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: NVSRAM
- Объем памяти: 1 Мбит
- Организация памяти: 128K x 8
- Интерфейс: Параллельный
- Время доступа: 100 нс
- Время записи: 100 нс
- Диапазон напряжений питания: 4.75V ~ 5.25V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Тип монтажа: Поверхностный (SMD)
- Корпус: 256-BGA (27x27 мм)
Возможные аналоги
- IS61WV51216BLL-10TLI: От компании ISSI, объем памяти 8 Mбит
- CY14B108K-ZS45XI: От компании Cypress Semiconductor, объем памяти 8 Mбит
- FM28V100-TG: От компании Infineon Technologies, объем памяти 1 Мбит
Используйте DS2045AB-100# для задач, требующих быстрого доступа к энергонезависимым данным, но учтите его ограниченную доступность.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.