DS2045AB-100#

8 160,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание DS2045AB-100# от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS2045AB-100# - это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) от компании Analog Devices / Maxim Integrated. Объем памяти составляет 1 Мбит, а интерфейс передачи данных осуществляется параллельно. Этот компонент подходит для хранения данных, которые должны быть доступны даже после выключения питания.

Преимущества

  • Высокая скорость доступа: Время доступа всего 100 нс, что обеспечивает быструю передачу данных.
  • Энергонезависимость: Данные сохраняются при отключении питания, что исключает риск потери информации.
  • Широкий диапазон рабочих температур: От -40°C до 85°C, что делает компонент пригодным для использования в различных промышленных и потребительских приложениях.

Недостатки

  • Устаревший компонент: Статус компонента "Obsolete" означает, что его производство прекращено, и новые разработки должны учитывать этот факт.
  • Требования к напряжению: Рабочее напряжение составляет от 4.75V до 5.25V, что может не подойти для современных систем, работающих при более низких напряжениях.

Типовое использование

  • Промышленные системы управления: Для хранения конфигурационных данных и журналов, которые должны быть сохранены при отключении питания.
  • Медицинское оборудование: Для регистраций данных пациентов, которые не должны теряться при сбоях питания.
  • Телекоммуникационные устройства: Для хранения важных параметров и настроек системы.

Рекомендации по применению

  • Обеспечение стабильного питания: Для надежной работы обеспечьте стабильное питание в диапазоне 4.75V ~ 5.25V.
  • Учёт температуры: Убедитесь, что устройство будет работать в рамках допустимого диапазона температур (-40°C ~ 85°C).
  • Проверка доступности: Учтите, что компонент устарел, и может быть целесообразно рассмотреть аналогичные современные решения.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM
  • Объем памяти: 1 Мбит
  • Организация памяти: 128K x 8
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 100 нс
  • Время записи: 100 нс
  • Диапазон напряжений питания: 4.75V ~ 5.25V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
  • Тип монтажа: Поверхностный (SMD)
  • Корпус: 256-BGA (27x27 мм)

Возможные аналоги

  • IS61WV51216BLL-10TLI: От компании ISSI, объем памяти 8 Mбит
  • CY14B108K-ZS45XI: От компании Cypress Semiconductor, объем памяти 8 Mбит
  • FM28V100-TG: От компании Infineon Technologies, объем памяти 1 Мбит

Используйте DS2045AB-100# для задач, требующих быстрого доступа к энергонезависимым данным, но учтите его ограниченную доступность.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК