DS2030L-100#

DS2030L-100# от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS2030L-100# — это энергонезависимая статическая RAM память (NVSRAM) с емкостью 256 килобит. Она представляет собой эффективное решение для хранения данных, которые должны сохраняться даже при отключении питания. Устройство поставляется в корпусе BGA (256-BGA, 27x27), что обеспечивает компактность и надежность в жестких условиях эксплуатации.

Преимущества

• Энергонезависимость: данные сохраняются даже при отсутствии питания.
• Быстрое время доступа: время доступа составляет 100 наносекунд, что делает эту память подходящей для высокоскоростных приложений.
• Компактный форм-фактор: 256-BGA корпус оптимизирован для использования в малогабаритных устройствах.
• Широкий диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C, что позволяет использовать устройство в промышленных и наружных условиях.

Недостатки

• Статус устаревшего устройства: устройство снято с производства, что может затруднить его закупку и техподдержку.
• Ограниченная емкость: 256 килобит может быть недостаточно для современных требований к памяти.

Типовое использование

• Автоматизированные системы управления: хранение конфигурационных данных и логов.
• Медицинские устройства: сохранение критически важных данных после отключения питания.
• Промышленные контроллеры: хранение временных данных и параметров.
• Встроенные системы: безопасное хранение данных, которые не должны теряться при сбоях питания.

Рекомендации по применению

• Используйте резервное питание для предотвращения потери данных при сбое основного питания.
• Обеспечьте надлежащую терморегуляцию, чтобы устройство не перегревалось и функционировало в заданном температурном диапазоне.
• При проектировании схемы учитывайте длину и помехрг о проводников, чтобы минимизировать время реакции и поддерживать сигнал в пределах допустимого уровня.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Неэнергозависимая статическая RAM.
• Формат памяти: NVSRAM.
• Объем памяти: 256 Кбит.
• Организация памяти: 32K x 8.
• Интерфейс передачи данных: Параллельный.
• Время записи: 100 наносекунд.
• Время доступа: 100 наносекунд.
• Напряжение питания: от 3V до 3.6V.
• Рабочая температура: от -40°C до +85°C.
• Тип монтажа: Поверхностный.
• Корпус: 256-BGA (27x27).

Возможные аналоги

• CY14B256LA от Cypress Semiconductor: аналогичная энергонезависимая SRAM памяти с емкостью 256 Кбит.
• FM16W08 от Fujitsu: FRAM память, которая обладает подобными свойствами и большей скоростью.

Надеюсь, это описание будет полезно для определения возможностей и применения DS2030L-100# в ваших проектах.