DS2030AB-100#
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
DS2030AB-100# от Analog Devices / Maxim Integrated
Общее описание
DS2030AB-100# — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) с емкостью 256 килобит и параллельным интерфейсом, разработанная компанией Analog Devices / Maxim Integrated. Эти чипы предназначены для сохранения данных при отключении питания и обеспечивают высокую скорость доступа.
Преимущества
- Надежность хранения данных: Данные сохраняются даже при отключении питания благодаря энергонезависимой памяти.
- Высокая скорость доступа: Время доступа составляет 100 нс, что позволяет использовать этот компонент в быстродействующих системах.
- Широкий диапазон напряжений питания: Диапазон питания от 4.75В до 5.25В обеспечивает гибкость в различных приложениях.
- Широкий температурный диапазон: Рабочий температурный диапазон составляет от -40°C до 85°C, что позволяет использовать компонент в жестких условиях эксплуатации.
Недостатки
- Объем памяти: 256 килобит может быть недостаточно для некоторых современных приложений с большими требованиями к памяти.
- Устаревший статус: Компонент имеет статус "обесценено" (obsolete), что может затруднить его приобретение и сопряжено с рисками для долгосрочных проектов.
Типовые использования
- Промышленные контроллеры: Для хранения критически важных данных и программ.
- Системы управления: Включая автоматизацию производственных процессов и управление оборудованием.
- Медицинское оборудование: Где необходимы высоконадежные энергонезависимые решения для хранения данных.
Рекомендации по применению
- Обратитесь к аналогам: Ввиду статуса "обесценено" рекомендуется рассмотреть современные аналоги.
- Используйте вместе с резервным питанием: Для обеспечения максимальной надежности и целостности данных.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: NVSRAM
- Формат памяти: NVSRAM
- Объем памяти: 256 килобит (32К x 8)
- Интерфейс памяти: Параллельный
- Время записи: 100 нс
- Время доступа: 100 нс
- Напряжение питания: 4.75В ~ 5.25В
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMT)
- Корпус / Упаковка: 256-BGA (27x27 мм)
Возможные аналоги
- FM25640B-G от Cypress Semiconductor: Энергонезависимая память с аналогичными характеристиками.
- MR48V256CYYR от Renesas Electronics: Современный NVSRAM с улучшенными характеристиками.
Это описание предназначено для использования на сайте интернет-магазина электронных компонентов и включает в себя основные аспекты, которые могут заинтересовать потенциальных покупателей и инженеров-разработчиков.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.