DS2030AB-100#

7 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DS2030AB-100# от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS2030AB-100# — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) с емкостью 256 килобит и параллельным интерфейсом, разработанная компанией Analog Devices / Maxim Integrated. Эти чипы предназначены для сохранения данных при отключении питания и обеспечивают высокую скорость доступа.

Преимущества

  • Надежность хранения данных: Данные сохраняются даже при отключении питания благодаря энергонезависимой памяти.
  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет 100 нс, что позволяет использовать этот компонент в быстродействующих системах.
  • Широкий диапазон напряжений питания: Диапазон питания от 4.75В до 5.25В обеспечивает гибкость в различных приложениях.
  • Широкий температурный диапазон: Рабочий температурный диапазон составляет от -40°C до 85°C, что позволяет использовать компонент в жестких условиях эксплуатации.

Недостатки

  • Объем памяти: 256 килобит может быть недостаточно для некоторых современных приложений с большими требованиями к памяти.
  • Устаревший статус: Компонент имеет статус "обесценено" (obsolete), что может затруднить его приобретение и сопряжено с рисками для долгосрочных проектов.

Типовые использования

  • Промышленные контроллеры: Для хранения критически важных данных и программ.
  • Системы управления: Включая автоматизацию производственных процессов и управление оборудованием.
  • Медицинское оборудование: Где необходимы высоконадежные энергонезависимые решения для хранения данных.

Рекомендации по применению

  • Обратитесь к аналогам: Ввиду статуса "обесценено" рекомендуется рассмотреть современные аналоги.
  • Используйте вместе с резервным питанием: Для обеспечения максимальной надежности и целостности данных.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM
  • Формат памяти: NVSRAM
  • Объем памяти: 256 килобит (32К x 8)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время записи: 100 нс
  • Время доступа: 100 нс
  • Напряжение питания: 4.75В ~ 5.25В
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMT)
  • Корпус / Упаковка: 256-BGA (27x27 мм)

Возможные аналоги

  • FM25640B-G от Cypress Semiconductor: Энергонезависимая память с аналогичными характеристиками.
  • MR48V256CYYR от Renesas Electronics: Современный NVSRAM с улучшенными характеристиками.

Это описание предназначено для использования на сайте интернет-магазина электронных компонентов и включает в себя основные аспекты, которые могут заинтересовать потенциальных покупателей и инженеров-разработчиков.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК