DS1350ABP-100

DS1350ABP-100 от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1350ABP-100 — это высокопроизводительный, энергонезависимый статический оперативный запоминающий устройство (NVSRAM) от компании Analog Devices / Maxim Integrated. Устройство сочетает в себе преимущества SRAM и энергонезависимой памяти, обеспечивая высокую скорость доступа к данным и надежное их сохранение при отключении питания. Оно идеально подходит для применения в системах, где критически важна сохранность данных при перебоях электроснабжения.

Преимущества

• Быстрая скорость доступа: Время доступа составляет всего 100 ns, что обеспечивает высокую производительность.
• Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отключении питания.
• *Широкий диапазон напряжений питания: * 4,75 В ~ 5,25 В.
• Удобный форм-фактор: Модуль в корпусе 34-PowerCap™ позволяет легко интегрировать устройство в различные системы.

Недостатки

• Ограниченная емкость: Суммарный объем памяти составляет 4 Мбит, что может быть недостаточно для некоторых приложений.
• Устаревшая модель: Устройство находится в статусе 'Obsolete' (устаревшее), что может затруднить его приобретение в будущем.

Типовое использование

• Системы управления: Использование в устройствах автоматизации и управления, где требуется надежное хранение конфигурационных данных.
• Запоминающие устройства: Использование в приборах регистрации данных, где необходимо гарантированное сохранение информации при отключении питания.
• Медицинское оборудование: Применение в медицинских аппаратах, где крайне важно сохранение параметров пациента и операционных данных.

Рекомендации по применению

• Проверка требования к энергопитанию: Убедитесь, что система обеспечения подачи питания соответствует диапазону напряжений 4,75 В ~ 5,25 В.
• Учет устаревания: При проектировании новых систем, рассмотрите возможность применения современных аналогов.
• Температурный режим: Работа устройства оптимальна в диапазоне температур от 0°C до 70°C.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM (энергонезависимая SRAM)
• Объем памяти: 4 Мбит (512K x 8)
• Интерфейс: Параллельный
• Время записи: 100 ns
• Напряжение питания: 4,75 В ~ 5,25 В
• Температура эксплуатации: 0°C ~ 70°C
• Корпус: 34-PowerCap™ Module

Возможные аналоги

• CY14B104LA-ZS45XCT от Cypress Semiconductor: NVSRAM с объемом 4 Мбит и аналогичными характеристиками.
• FM18W04-SG от Infineon Technologies: NVSRAM с объемом 4 Мбит, низким энергопотреблением и устойчивостью к радиационному излучению.

DS1350ABP-100 представляет собой надежное решение для хранения данных в устройствах, где критически важно сохранение информации при отключении питания.