DS1270Y-70IND#
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
DS1270Y-70IND# от Analog Devices / Maxim Integrated
Общее описание
DS1270Y-70IND# — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) емкостью 16 Мбит, выпускаемая компанией Analog Devices / Maxim Integrated. Данный компонент объединяет в себе преимущества быстрого доступа SRAM и долговременного хранения информации EEPROM/FLASH памяти. Он имеет параллельный интерфейс и поставляется в корпусе 36-EDIP.
Преимущества
- Быстрый доступ: Время доступу к данным всего 70 нс.
- Энергонезависимость: Сохраняет данные даже при отключении питания.
- Расширенный температурный диапазон: От -40°C до 85°C, что позволяет использовать чип в сложных условиях эксплуатации.
- Удобный форм-фактор: Поставляется в корпусе 36-EDIP, который обеспечивает удобство монтажа и замену.
Недостатки
- Стоимость: NVSRAM может быть дороже по сравнению с другими типами памяти (например, DRAM или EEPROM).
- Энергопотребление: За счет использования SRAM потребляет больше энергии в активном режиме по сравнению с менее быстрыми решениями.
Типовое использование
- Промышленное оборудование: Для хранения критически важной информации, которая должна быть доступна быстро и надежно.
- Системы обрабатывающей промышленности: Где требуется быстрая и надежная память для кэширования данных.
- Медицинские приборы: Для надежного хранения конфиденциальной информации.
- Автомобильная электроника: Использование в устройствах, работающих в экстремальных температурных условиях.
Основные технические характеристики:
- Тип памяти: NVSRAM
- Емкость: 16 Мбит (2М x 8 бит)
- Интерфейс: Параллельный
- Время доступа: 70 нс
- Напряжение питания: 4.5 В - 5.5 В
- Температурный диапазон: от -40°C до 85°C
- Корпус: 36-EDIP
Важные рекомендации по применению
- Уровни сигнала: Убедитесь, что уровни напряжения соответствуют спецификациям для надежной работы.
- Электромагнитная совместимость (EMC): Реализуйте соответствующие меры для обеспечения защиты от электромагнитных помех.
- Теплоотвод: При больших объемах данных и высокой частоте чтения/записи предусмотрите адекватное охлаждение.
Возможные аналоги
- CY14B101K-SP20XI от Cypress Semiconductor: NVSRAM модуль аналогичной емкости и характеристик.
- IS61WV51216BLL-10MLI от ISSI: SRAM с аналогичной емкостью, но без энергонезависимости.
Заключение
DS1270Y-70IND# предлагает отличное сочетание быстродействия и надежности для промышленных и других критически важных приложений. Это идеальный выбор для систем, где требуется высокая скорость доступа к данным и сохранность информации при отключении питания.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.