DS1270Y-70#

58 560,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DS1270Y-70# от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1270Y-70# — это NVSRAM (Non-Volatile SRAM) с объёмом памяти 16 Mбит, выполненный в корпусе 36-EDIP, и обеспечивающий параллельный интерфейс доступа. Этот чип объединяет SRAM и энергонезависимую память, что позволяет сохранять данные при отключении питания. Он идеально подходит для приложений, требующих высокой скорости доступа и надежного хранения данных.

Преимущества

  • Высокая скорость доступа: Время доступа и записи составляет 70 нс, что обеспечивает высокую производительность.
  • Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отключении питания, благодаря встроенной батарее и энергонезависимой памяти.
  • Удобный форм-фактор: Корпус 36-EDIP (DIP-модуль) обеспечивает простое использование и монтаж.

Недостатки

  • Ограниченный температурный диапазон: Рабочий температурный диапазон составляет 0°C ~ 70°C, что может ограничить использование в экстремальных условиях.
  • Требования к энергоснабжению: Питание должно быть в диапазоне 4.5V ~ 5.5V, что требует точного соблюдения.

Типовое использование

  • Промышленные контроллеры: Поддержка стабильного хранения данных при резких изменениях условий.
  • Медицинские устройства: Гарантированная сохранность данных пациента при отключении питания.
  • Автомобильная электроника: Мгновенный доступ к данным и сохранение важной информации.

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте точное соответствие напряжения питания: Для стабильной работы необходим источник питания в диапазоне 4.5V ~ 5.5V.
  • Установите в подходящем месте: Избегайте экстремальных температур и воздействий, чтобы продлить срок службы устройства.
  • Используйте параллельный интерфейс: Подключение через параллельный интерфейс обеспечит максимальную скорость обмена данными.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объём памяти: 16 Mбит
  • Организация памяти: 2M x 8
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 70 нс
  • Время записи на слово: 70 нс
  • Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
  • Рабочий температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
  • Монтаж: В сквозные отверстия (Through Hole)
  • Корпус: 36-EDIP

Возможные аналоги

  • DS1250Y-70: Объем памяти 8 Мбит, для приложений с меньшими требованиями к памяти.
  • DS1230Y-70: Объем памяти 256 Кбит, для небольших приложений с аналогичными временными характеристиками.

Этот компонент рекомендуется для использования в приложениях, требующих надежной и быстрой энергонезависимой памяти.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК