DS1270Y-70#
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
DS1270Y-70# от Analog Devices / Maxim Integrated
Общее описание
DS1270Y-70# — это NVSRAM (Non-Volatile SRAM) с объёмом памяти 16 Mбит, выполненный в корпусе 36-EDIP, и обеспечивающий параллельный интерфейс доступа. Этот чип объединяет SRAM и энергонезависимую память, что позволяет сохранять данные при отключении питания. Он идеально подходит для приложений, требующих высокой скорости доступа и надежного хранения данных.
Преимущества
- Высокая скорость доступа: Время доступа и записи составляет 70 нс, что обеспечивает высокую производительность.
- Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отключении питания, благодаря встроенной батарее и энергонезависимой памяти.
- Удобный форм-фактор: Корпус 36-EDIP (DIP-модуль) обеспечивает простое использование и монтаж.
Недостатки
- Ограниченный температурный диапазон: Рабочий температурный диапазон составляет 0°C ~ 70°C, что может ограничить использование в экстремальных условиях.
- Требования к энергоснабжению: Питание должно быть в диапазоне 4.5V ~ 5.5V, что требует точного соблюдения.
Типовое использование
- Промышленные контроллеры: Поддержка стабильного хранения данных при резких изменениях условий.
- Медицинские устройства: Гарантированная сохранность данных пациента при отключении питания.
- Автомобильная электроника: Мгновенный доступ к данным и сохранение важной информации.
Рекомендации по применению
- Обеспечьте точное соответствие напряжения питания: Для стабильной работы необходим источник питания в диапазоне 4.5V ~ 5.5V.
- Установите в подходящем месте: Избегайте экстремальных температур и воздействий, чтобы продлить срок службы устройства.
- Используйте параллельный интерфейс: Подключение через параллельный интерфейс обеспечит максимальную скорость обмена данными.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Объём памяти: 16 Mбит
- Организация памяти: 2M x 8
- Интерфейс: Параллельный
- Время доступа: 70 нс
- Время записи на слово: 70 нс
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Рабочий температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
- Монтаж: В сквозные отверстия (Through Hole)
- Корпус: 36-EDIP
Возможные аналоги
- DS1250Y-70: Объем памяти 8 Мбит, для приложений с меньшими требованиями к памяти.
- DS1230Y-70: Объем памяти 256 Кбит, для небольших приложений с аналогичными временными характеристиками.
Этот компонент рекомендуется для использования в приложениях, требующих надежной и быстрой энергонезависимой памяти.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.