DS1265Y-70IND

27 600,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

DS1265Y-70IND от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1265Y-70IND представляет собой энергонезависимую статическую оперативную память (NVSRAM) от Analog Devices / Maxim Integrated. Этот интегральный компонент сочетает в себе функциональность SRAM благодаря встроенному аккумулятору и технологии хранения данных при отключении питания. Он обеспечивает высокий уровень надежности и устойчивости данных в условиях переменного напряжения питания и экстремальных температур.

Преимущества

  • Надежность: Данные сохраняются при отключении питания благодаря технологии NVSRAM.
  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 70 нс.
  • Широкий температурный диапазон: Операционные температуры от -40°C до 85°C делают его идеальным для использования в промышленных и суровых условиях.
  • Универсальность: Подходит для различных применений благодаря параллельному интерфейсу.

Недостатки

  • Устаревший статус: Компонент имеет статус снятого с производства, что может осложнить его долгосрочную доступность.
  • Требования к питанию: Требуется стабильное питанием в диапазоне 4.5В – 5.5В для корректной работы.

Типовое использование

DS1265Y-70IND подходит для широкого спектра применений:

  • Промышленные контроллеры
  • Системы сбора данных
  • Автоматизированные системы управления
  • Оборудование для телекоммуникаций
  • Микропроцессорные системы с требованиями к энергозависимости данных

Рекомендации по применению

  • Убедитесь в адекватности энергоснабжения в пределах 4.5В – 5.5В.
  • Рассмотрите температурные условия эксплуатации, чтобы соответствовать указанному диапазону -40°C ~ 85°C.
  • Используйте этот компонент в схемах, где критична сохранность данных при отключении питания.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM)
  • Организация памяти: 1M x 8 бит
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время цикла записи: 70 нс
  • Время доступа: 70 нс
  • Напряжение питания: 4.5В – 5.5В
  • Температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
  • Монтаж: Сквозное отверстие
  • Корпус: 36-дюймовый DIP модуль (0.610", 15.49мм)

Возможные аналоги

  • DS1230Y-70IND: 256KB NVSRAM от Maxim Integrated
  • DS1248Y-70IND: 512KB NVSRAM от Maxim Integrated
  • MR2A16ACYS35: 4MB NVSRAM от Everspin Technologies

Этот компонент позволит обеспечить надежное хранение данных в различных критических приложениях.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК