DS1265W-150+

24 960,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DS1265W-150+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1265W-150+ — это энергонезависимая память типа NVSRAM (Non-Volatile SRAM) с емкостью 8 Мбит от Analog Devices / Maxim Integrated. Этот микросхемный модуль обеспечивает надежную и быструю запись и считывание данных благодаря параллельному интерфейсу и времени доступа в 150 нс. Устройство заключено в корпус DIP-36, что позволяет легко интегрировать его в различные электронные системы.

Преимущества

  • Энергонезависимость: Данные сохраняются в случае отключения питания.
  • Быстрый доступ: Время доступа составляет 150 нс, что обеспечивает высокую производительность.
  • Легкость интеграции: Стандартный корпус DIP-36 упрощает монтаж и замену.
  • Высокая надежность: Соответствие высоким стандартам качества производства Maxim Integrated.

Недостатки

  • Снятие с производства: Микросхема устарела, что может вызвать сложности с поставками.
  • Ограниченный температурный диапазон: Рабочая температура от 0°C до 70°C ограничивает использование в экстремальных условиях.

Типовое использование

  • Промышленные системы управления.
  • Системы сбора и обработки данных.
  • Хранение критически важных данных в встраиваемых системах.
  • Военная и космическая техника (ограниченно).

Рекомендации по применению

  • Убедитесь, что напряжение питания попадает в диапазон от 3 В до 3.6 В для корректной работы.
  • При проектировании систем с данными микросхемами учитывать их устаревание и потенциальные трудности с заменой.
  • Обеспечьте необходимые условия хранения и эксплуатации в пределах от 0°C до 70°C.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Емкость памяти: 8 Мбит (1М x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время записи/считывания: 150 нс
  • Напряжение питания: 3 В ~ 3.6 В
  • Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
  • Корпус: DIP-36 (0.610", 15.49 мм)

Возможные аналоги

  • STK14C88-3L45I (Cypress Semiconductor) — аналогичная NVSRAM память, но с меньшим временем доступа.
  • IS61WV51216BLL-10TLI (ISSI) — высокоскоростная, но энергонезависимая SRAM память с аналогичным интерфейсом.
  • CY14B108L-ZS25XI (Cypress Semiconductor) — альтернатива с большей емкостью и улучшенными рабочими характеристиками.

Для более точного подбора аналогов и оптимальной замены рекомендуется провести дополнительный анализ потребностей проекта и требований к компонентам.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК