DS1265W-150+
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
DS1265W-150+ от Analog Devices / Maxim Integrated
Общее описание
DS1265W-150+ — это энергонезависимая память типа NVSRAM (Non-Volatile SRAM) с емкостью 8 Мбит от Analog Devices / Maxim Integrated. Этот микросхемный модуль обеспечивает надежную и быструю запись и считывание данных благодаря параллельному интерфейсу и времени доступа в 150 нс. Устройство заключено в корпус DIP-36, что позволяет легко интегрировать его в различные электронные системы.
Преимущества
- Энергонезависимость: Данные сохраняются в случае отключения питания.
- Быстрый доступ: Время доступа составляет 150 нс, что обеспечивает высокую производительность.
- Легкость интеграции: Стандартный корпус DIP-36 упрощает монтаж и замену.
- Высокая надежность: Соответствие высоким стандартам качества производства Maxim Integrated.
Недостатки
- Снятие с производства: Микросхема устарела, что может вызвать сложности с поставками.
- Ограниченный температурный диапазон: Рабочая температура от 0°C до 70°C ограничивает использование в экстремальных условиях.
Типовое использование
- Промышленные системы управления.
- Системы сбора и обработки данных.
- Хранение критически важных данных в встраиваемых системах.
- Военная и космическая техника (ограниченно).
Рекомендации по применению
- Убедитесь, что напряжение питания попадает в диапазон от 3 В до 3.6 В для корректной работы.
- При проектировании систем с данными микросхемами учитывать их устаревание и потенциальные трудности с заменой.
- Обеспечьте необходимые условия хранения и эксплуатации в пределах от 0°C до 70°C.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Емкость памяти: 8 Мбит (1М x 8)
- Интерфейс: Параллельный
- Время записи/считывания: 150 нс
- Напряжение питания: 3 В ~ 3.6 В
- Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
- Корпус: DIP-36 (0.610", 15.49 мм)
Возможные аналоги
- STK14C88-3L45I (Cypress Semiconductor) — аналогичная NVSRAM память, но с меньшим временем доступа.
- IS61WV51216BLL-10TLI (ISSI) — высокоскоростная, но энергонезависимая SRAM память с аналогичным интерфейсом.
- CY14B108L-ZS25XI (Cypress Semiconductor) — альтернатива с большей емкостью и улучшенными рабочими характеристиками.
Для более точного подбора аналогов и оптимальной замены рекомендуется провести дополнительный анализ потребностей проекта и требований к компонентам.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.