DS1265AB-100+

24 720,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Описание для DS1265AB-100+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1265AB-100+ представляет собой NVSRAM (Non-Volatile SRAM) память объемом 8 Мбит от компании Analog Devices / Maxim Integrated. Этот компонент сочетает в себе быстродействие статической оперативной памяти (SRAM) с неволатильностью EEPROM, что позволяет сохранять данные даже при потере питания.

Преимущества

  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 100 нс, что обеспечивает высокую производительность.
  • Неволатильность: Обеспечивает сохранение данных без необходимости в аккумуляторах или других источниках резервного питания.
  • Простота интеграции: Интерфейс параллельного шины облегчает подключение к большинству микропроцессорных систем.

Недостатки

  • Энергоемкость: Потребляемая мощность может быть выше по сравнению с другими типами памяти.
  • Объем: Для приложений с большой требовательностью к памяти 8 Мбит может быть недостаточно.

Типовое использование

  • Системы сбора данных: Идеально подходит для устройств, где важно сохранение данных даже при выключении питания.
  • Промышленные контроллеры: Используется для хранения конфигурационных данных, параметров системы и другой важной информации.
  • Медицинское оборудование: Применяется для безошибочного хранения данных пациентов и конфигураций устройства.

Рекомендации по применению

  • Резервное копирование данных: Рекомендуется для систем, где требуется надежное и долговременное хранение данных.
  • Встроенные системы: Подходит для использований в устройствах с ограниченным пространством и требованиями к низкому энергопотреблению.
  • Часто обновляемые данные: Идеален для приложений, где требуется частая запись и считывание информации.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM
  • Объем памяти: 8 Мбит (1M x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 100 нс
  • Напряжение питания: 4.75 В - 5.25 В
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
  • Тип корпуса: 36-EDIP (0.610", 15.49 мм)
  • Монтаж: Сквозные отверстия (Through Hole)

Возможные аналоги

  • DS1230Y-100+ от Maxim Integrated
  • CY14B101LA-ZS25XI от Cypress Semiconductor
  • FM18W08-SG от Ramtron

Этот компонент является отличным решением для задач, требующих высокоскоростной неволатильной памяти с параллельным интерфейсом.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК