DS1258W-100#

11 520,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DS1258W-100# от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1258W-100# — это энергонезависимая SRAM память (NVSRAM) с объемом 2 мегабита, предлагаемая компанией Analog Devices / Maxim Integrated. Этот компонент сочетает в себе высокоскоростную статическую оперативную память и энергонезависимость благодаря встроенной батарее и контроллерам.

Преимущества

  • Высокая скорость доступа: Время чтения/записи составляет всего 100 наносекунд, что обеспечивает высокую производительность в приложениях с интенсивной памятью.
  • Энергонезависимость: Встроенная батарея позволяет сохранять данные даже при полном отключении питания.
  • Соединение через параллельный интерфейс: Обеспечивает легкую интеграцию с существующими системами.

Недостатки

  • Устаревшая модель: Возможна ограниченная доступность и поддержка, так как компонент имеет статус устаревшего.
  • Ограниченный температурный диапазон: Рабочий диапазон температур от 0°C до 70°C, что может не подходить для всех промышленных применений.

Типовое использование

  • Автоматизация и контроль процессов: Применяется в системах, требующих надежного сохранения данных во время потери питания.
  • Медицинское оборудование: Используется в устройствах, где важно мгновенное восстановление работы после отключения.
  • Промышленные и военные системы: Идеален для критических приложений, где требуется высокая надежность хранения данных.

Рекомендации по применению

  • Корпус: Подходит для установки на печатные платы через сквозные отверстия (through hole). Убедитесь, что ваш дизайн платы поддерживает корпус 40-EDIP.
  • Питание: Обеспечьте стабильное питание в диапазоне от 3В до 3.6В для оптимальной работы компонента.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти: 2 Мбит (128К x 16)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 100 наносекунд
  • Напряжение питания: 3В ~ 3.6В
  • Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
  • Корпус: 40-EDIP

Возможные аналоги

  • HY628400A от Hyundai: Объем памяти 512Кбит, что может быть недостаточным в сравнении с DS1258W-100#.
  • CY14B116L от Cypress Semiconductor: Объем памяти 16Мбит, значительно больше, чем у DS1258W-100#, может предложить больше возможностей, если это необходимо.
  • FM28V202A от Ramtron: 256Кбит, но использует последовательный интерфейс вместо параллельного.

Заключение

DS1258W-100# является надежным выбором для приложений, требующих высокую скорость доступа и надежное сохранение данных. Однако, учитывая его устаревший статус, стоит рассмотреть доступность запасов и возможные аналоги для долгосрочных проектов.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК