DS1250YL-70-IND

24 000,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DS1250YL-70-IND от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1250YL-70-IND — это энергонезависимая статическая оперативная память высокой плотности (NVSRAM) объемом 4 Mбит, предоставляемая компанией Analog Devices / Maxim Integrated. Этот компонент сочетает в себе быстродействие статической оперативной памяти (SRAM) и энергонезависимость флэш-памяти, что делает возможным запоминание данных даже при отключении питания.

Преимущества

  • Энергонезависимость: гарантированное сохранение данных при отключении питания.
  • Высокая скорость доступа: время доступа составляет всего 70 нс.
  • Широкий диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C, что делает компонент подходящим для использования в промышленных условиях.
  • Простота использования: память организована по принципу 512K x 8 бит, что упрощает интеграцию в систему.

Недостатки

  • Устаревшая модель: компоненты данной серии могут быть сняты с производства.
  • Высокое энергопотребление в активном режиме по сравнению с некоторыми альтернативами на рынке.

Типовое использование

  • Системы аварийного резервирования данных
  • Микроконтроллерные системы и встраиваемые системы
  • Промышленные системы управления
  • Системы телекоммуникаций и сетевые устройства

Рекомендации по применению

  • Убедитесь в наличии надежного источника питания для обеспечения данных во время работы.
  • Планируйте достаточно охлаждение для поддержания работоспособности устройства в условиях высоких температур.
  • Сосредоточьтесь на защите вывода батареи от коротких замыканий и других электрических повреждений.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM
  • Объем памяти: 4 Мбит (512K x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Среднее время доступа: 70 нс
  • Напряжение питания: 4.5 В - 5.5 В
  • Диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C
  • Корпус: 34-LPM (Leadless Pin Module)

Возможные аналоги

  • MRAM (Magnetoresistive RAM)
  • FRAM (Ferroelectric RAM)
  • EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)
  • В зависимости от специфики применения, также могут быть использованы более современные NVSRAM или другие энергонезависимые памяти от того же или других производителей.

Заключение

DS1250YL-70-IND представляет собой надежное решение для хранения данных в требованиях критических к энергонезависимости средах. Благодаря быстрому времени доступа и широкому рабочему температурному диапазону, он найдет свое применение в приложениях промышленного и телекоммуникационного характера.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК