DS1250Y-100+

30 240,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DS1250Y-100+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1250Y-100+ — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) объемом 4 мегабита от Analog Devices / Maxim Integrated. Компонент использует внутреннюю литиевую батарею для хранения данных при отключении питания. Он предназначен для тех приложений, где требуется высокая надежность хранения данных, и предлагает быстрый доступ с временем выборки до 100 нс.

Преимущества

  • Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отключении внешнего питания.
  • Высокая скорость: Время доступа 100 нс обеспечивает быстрые операции чтения и записи.
  • Надежность: Встроенная литиевая батарея гарантирует долгосрочное хранение данных.
  • Удобство интеграции: Параллельный интерфейс позволяет легко интегрировать компонент в большинство систем.

Недостатки

  • Ограниченный срок службы батареи: Хотя литиевая батарея обеспечивает долгосрочное хранение данных, срок её службы всё же ограничен.
  • Устаревший корпус: 32-выводной корпус EDIP может быть неудобен для современных компактных устройств.

Типовое использование

  • Системы хранения данных: Идеально подходит для приложений, требующих постоянного хранения критичных данных.
  • Промышленная автоматика: Используется в системах контроля и автоматизации для сохранения конфигурационных данных и логов.
  • Встраиваемые системы: Применяется в устройствах, где необходима быстрая и надежная память.

Рекомендации по применению

  1. Питание: Обеспечьте стабильное питание в диапазоне 4.5V - 5.5V для корректной работы чипа.
  2. Хранение: Избегайте хранения в условиях высокой температуры и влажности, чтобы продлить срок службы литиевой батареи.
  3. Интеграция: Используйте правильные методы пайки для корпуса Through Hole (сквозное отверстие), чтобы избежать механических повреждений.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM
  • Объем памяти: 4 Мбит (512К x 8)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время доступа: 100 нс
  • Диапазон напряжения питания: 4.5V - 5.5V
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
  • Корпус: 32-выводной EDIP

Возможные аналоги

  • Cypress CY14B256LA-SZ45XAT: NVSRAM с аналогичными характеристиками.
  • Renesas IS61WV25616BLL-10TLI: Близкий аналог с немного отличающимся объемом памяти и временем доступа.

Заключение

DS1250Y-100+ является отличным выбором для задач, где требуется надежное и быстрое хранение данных с энергонезависимостью. Его высокая производительность и стойкость к аварийным ситуациям делают его незаменимым в общем промышленном и встраиваемом применении.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК