DS1250AB-100 от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1250AB-100 — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) объёмом 4 мегабита (512Kx8), прозводимая компанией Analog Devices / Maxim Integrated. Микросхема объединяет быстродействующую SRAM с резервным энергоснабжением от встроенного литиевого аккумулятора, что обеспечивает надежное сохранение данных даже при отключении основного питания.

Преимущества

• Энергонезависимость: Хранение данных без необходимости постоянного питания.
• Высокая скорость доступа: Время доступа к данным составляет 100 наносекунд.
• Простота интеграции: Параллельный интерфейс и стандартный корпус делают микросхему легкой в применении.
• Долговечность хранения данных: Литиевый аккумулятор обеспечивает длительное сохранение данных в течение многих лет.

Недостатки

• Снятие с производства: Устаревшая модель, не подходит для новых разработок.
• Время записи: Хотя время доступа быстрое, время записи может быть ограничивающим фактором в высокопроизводительных приложениях.
• Температурные ограничения: Рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C может быть недостаточен для некоторых приложений.

Типовое использование

• Системы с критичностью данных: оборудование для сбора данных, промышленная автоматизация, телекоммуникации.
• Оборудование, требующее быстрого доступа к данным: сервера, устройства хранения данных.
• Устройства с аварийным резервным питанием: медицинское оборудование, платежные терминалы.

Рекомендации по применению

• Питание: Необходимо обеспечить стабильное питание в диапазоне от 4.75V до 5.25V.
• Температурный контроль: Следить за температурным режимом, поддерживать рабочую температуру в пределах от 0°C до 70°C для надежной работы.
• Хранение данных: Учитывать ограниченное время хранения данных и возможную замену устройства в долгосрочной перспективе ввиду устаревания.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM (независимая статическая оперативная память)
• Объем памяти: 4Mбит (512Kx8)
• Интерфейс: Параллельный
• Время доступа: 100 наносекунд
• Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
• Температурный диапазон: от 0°C до 70°C
• Корпус: 32-DIP (0.600", 15.24mm)

Возможные аналоги

• Simtek STK12C68: 8Kx8 NVSRAM с похожими характеристиками времени доступа.
• Cypress CY14B104K: 4Mbit (512Kx8) NVSRAM с более широким температурным диапазоном.
• Renesas IS62WV5128BLL: 4Mbit (512Kx8) SRAM, с внешне установленным резервным питанием.

Пожалуйста, обратите внимание, что DS1250AB-100 считается устаревшей моделью, и для новых проектов рекомендуется рассматривать современные аналоги.