DS1249Y-85IND#

Микросхема памяти DS1249Y-85IND# от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1249Y-85IND# - это высоконадежная энергонезависимая SRAM память (NVSRAM) объемом 2Мбит, представляемая в параллельном исполнении и корпусе 32-EDIP. Данная микросхема предлагает сочетание оперативной SRAM памяти с энергонезависимыми возможностями, обеспечивая хранение данных даже при отсутствии электропитания.

Преимущества

• Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отключении питания.
• Высокая скорость доступа: Время доступа составляет 85 нс.
• Широкий диапазон напряжения питания: Работает при напряжении от 4.5В до 5.5В.
• Широкий температурный диапазон: Рабочий диапазон температуры от -40°C до +85°C, что делает её подходящей для промышленных применений.
• Надежность: Конструкция обеспечивает высокую надежность и долговечность.

Недостатки

• Цена: NVSRAM устройства могут быть дороже по сравнению с другими типами памяти, такими как DRAM или обычная SRAM.
• Меньшая плотность хранения: NVSRAM, как правило, имеет меньшую плотность хранения по сравнению с флэш-памятью.

Типовое использование

• Системы управления: Отличное решение для систем, где важна сохранность данных при отключении питания.
• Промышленная автоматика: Может использоваться в оборудовании, работающем в суровых условиях.
• Медицинское оборудование: Используется в устройствах, где существует необходимость в сохранении данных между сеансами работы.
• Встраиваемые системы: Применима в системах, требующих бесперебойного хранения временных данных.

Рекомендации по применению

• Убедитесь, что напряжение питания находится в пределах от 4.5В до 5.5В.
• Для максимальной надежности и долговечности, обеспечьте подходящие условия эксплуатации, соответствующие температурному диапазону от -40°C до +85°C.
• В схемах с контролем питания рассмотрите возможность включения дополнительных элементов защиты для предотвращения кратковременных скачков напряжения.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Энергонезависимая SRAM (NVSRAM)
• Объем памяти: 2 Мбит (256К х 8)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время цикла записи: 85 нс
• Время доступа: 85 нс
• Напряжение питания: 4.5В ~ 5.5В
• Рабочий температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
• Корпус: 32-выводной EDIP

Возможные аналоги

• DS1248Y-85IND#: Другой вариант NVSRAM от того же производителя с похожими характеристиками.
• IS61C1024AL-10KLI-TR: Альтернативная NVSRAM память с немного другими параметрами времени доступа.

Заключение

Микросхема DS1249Y-85IND# от Analog Devices / Maxim Integrated представляет собой надежное решение для систем, где необходимо долгосрочное и стабильное хранение данных в энергозависимой памяти. Её преимущества заключаются в высокой скорости доступа, энергонезависимости и широком диапазоне рабочих условий.