DS1249AB-100

Общее описание

DS1249AB-100 — это энергонезависимая память NVSRAM (Non-Volatile SRAM) емкостью 2Мбит от компании Analog Devices / Maxim Integrated. Этот чип обеспечивает долговременное хранение данных даже при отключении питания, что делает его полезным в различных применениях, требующих высокой надежности и защиты данных.

Преимущества

• Энергонезависимая память обеспечивает долговременное хранение данных.
• Высокая скорость доступа: 100нс.
• Надежная работа в диапазоне напряжений питания от 4.75В до 5.25В.
• Память сохранена даже при отключении питания.

Недостатки

• Ограниченный температурный диапазон: от 0°C до +70°C.
• Устаревший статус, возможны трудности с приобретением.

Типовое использование

• Промышленные системы автоматизации
• Встроенные системы управления
• Медицинские приборы
• Системы безопасности и контроля доступа
• Память конфигурации в телекоммуникационных устройствах

Рекомендации по применению

Для наилучшей работы с DS1249AB-100 рекомендуется обеспечить стабильное питание в указанном диапазоне и придерживаться всех норм по эксплуатации. Чип следует использовать в условиях, соответствующих рабочему температурному диапазону.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Формат памяти: 256K x 8
• Объем памяти: 2Мбит
• Интерфейс: Параллельный
• Время записи: 100нс
• Время доступа: 100нс
• Напряжение питания: 4.75В ~ 5.25В
• Температурный диапазон: 0°C ~ +70°C
• Тип монтажа: Сквозное отверстие (Through Hole)
• Корпус: 32-DIP (0.600", 15.24мм)

Возможные аналоги

• DS1249Y-100: незначительные отличия в характеристиках, возможен другой температурный диапазон.
• DS1250Y-100: аналогичный функционал, но возможно другое управление энергопотреблением.

Заключение

DS1249AB-100 — это высоконадежная энергонезависимая SRAM-память, способная обеспечить сохранность данных при перебоях с питанием. Хотя этот чип стал устаревшей моделью, он по-прежнему может удовлетворить требования многих встроенных приложений и промышленных систем.

Примечание: В связи с устареванием компонента рекомендуется рассмотреть возможность перехода на более современные альтернативы для долгосрочных проектов.