DS1245YP-100+
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
DS1245YP-100+ от Analog Devices / Maxim Integrated
Общее описание
DS1245YP-100+ представляет собой энергонезависимую статическую память (NVSRAM) емкостью 1 Мбит от Analog Devices / Maxim Integrated. Этот компонент объединяет статическую оперативную память (SRAM) и энергонезависимую память на базе EEPROM, что обеспечивает сохранение данных при отключении питания. Микросхема выполнена в корпусе типа PowerCap™, что облегчает ее установку на печатную плату и замену батареи при необходимости.
Преимущества
- Сохранение данных при отключении питания: Благодаря встроенной батарее, данные сохраняются без необходимости использования внешнего источника питания.
- Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 100 наносекунд, что обеспечивает высокую производительность системы.
- Компактный корпус: Корпус PowerCap™ предлагает удобство монтажу и замене батареи, повышая долговечность системы.
Недостатки
- Температурные ограничения: Рабочий диапазон температур устройства - от 0°C до 70°C, что может ограничивать его использование в более экстремальных условиях.
- Необходимость замены батареи: Периодическая замена батареи может потребоваться для обеспечения сохранности данных, что требует дополнительных проверок и обслуживания.
Типовое использование
- Энергонезависимая память: Используется для хранения критически важных данных, требующих сохранения при выключении питании.
- Промышленные системы управления: Применяется в системах, где необходимо оперативное сохранение параметров и настроек при сбоях питания.
- Встраиваемые системы: Идеален для использования в встраиваемых системах и микроконтроллерах, где важен быстрый и надежный доступ к данным.
Рекомендации по применению
- Обязательно обеспечьте доступ для замены батареи, если этого требует ваша система.
- Учитывайте температурные ограничения при выборе условий эксплуатации.
- Для увеличения срока службы проверьте условия хранения и эксплуатации батареи.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Формат памяти: NVSRAM
- Организация памяти: 128K x 8
- Интерфейс памяти: Параллельный
- Время записи: 100 нс
- Время доступа: 100 нс
- Напряжение питания: 4.5 В ~ 5.5 В
- Температурный диапазон: от 0°C до 70°C
- Монтаж: Поверхностный (Surface Mount)
- Корпус: 34-PowerCap™ Module
- Производитель: Analog Devices / Maxim Integrated
Возможные аналоги
- DS1245AB-100+: Аналогичный NVSRAM от Maxim Integrated с чуть увеличенной производительностью.
- Xicor X28C256: Альтернативный EEPROM с похожими характеристиками, однако с другим интерфейсом и задержками.
Используя эти рекомендации и информацию, вы можете выбрать оптимальное применение DS1245YP-100+ в ваших проектах, обеспечивая долговечность и надежность вашей системы.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.