DS1245Y-120+

10 800,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

DS1245Y-120+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1245Y-120+ представляет собой 1-Мбит NVSRAM (Non-Volatile Static RAM) микросхему с параллельным интерфейсом. Она сочетает в себе быстродействие и надежность SRAM с функциональностью постоянного хранения данных. Устройство предназначено для обеспечения непрерывности данных даже при отключении питания или колебаниях напряжения.

Преимущества

  • Надежность хранения данных: Данные сохраняются даже при отключении питания благодаря встроенной батарее.
  • Быстрый доступ к данным: Время доступа составляет всего 120 наносекунд, что делает его идеальным для высокопроизводительных приложений.
  • Простота интеграции: Стандартный параллельный интерфейс позволяет легко интегрировать устройство в различные системы.
  • Универсальность: Поддержка широкого диапазона условий эксплуатации.

Недостатки

  • Стоимость: Из-за встроенных компонентов и функций стоимость может быть выше по сравнению с обычными SRAM.
  • Ограниченный ресурс встроенной батареи: Встроенная батарея имеет ограниченный срок службы, который должен учитываться при проектировании.

Типовое использование

  • Промышленные и коммерческие системы: для непрерывного хранения рабочих данных.
  • Медицинские приборы: хранение калибровочных данных и историй пациентов.
  • Автоматизация и управление: обеспечивают целостность данных в системах управления процессами.
  • Телекоммуникационные устройства: для буферизации и временного хранения данных.

Рекомендации по применению

  • Правильный выбор напряжения питания: Убедитесь, что напряжение питания находится в диапазоне 4.5V - 5.5V.
  • Учет рабочего диапазона температур: устройство рассчитано на работу в диапазоне температур от 0°C до 70°C (TA).
  • Монтажное расположение: Устройте целостную систему монтажа с учетом типоразмера корпуса 32-EDIP для обеспечения надежной работы и охлаждения устройства.

Основные технические характеристики

Характеристика Значение
Тип памяти NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Объем памяти 1 Мбит
Организация памяти 128K x 8
Интерфейс памяти Параллельный
Время записи 120 нс
Время доступа 120 нс
Напряжение питания 4.5V ~ 5.5V
Рабочая температура 0°C ~ 70°C (TA)
Тип корпуса 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Монтажное исполнение Сквозное

Возможные аналоги

  • CY14B101LA от Cypress Semiconductor
  • MRAM MR2A16ACYS35 от Everspin Technologies
  • FM16W08 от RAMTRON

Этот DS1245Y-120+ предлагает отличное сочетание производительности и надежности для разнообразных применений, требующих неотказного хранения данных.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК