DS1245WP-100

Описание DS1245WP-100 от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1245WP-100 - это энергонезависимая статическая оперативная память (nvSRAM) объёмом 1 Мбит от компании Analog Devices / Maxim Integrated. Она объединяет в себе преимущества быстрой оперативной памяти SRAM и энергонезависимость благодаря встроенному литиевому источнику питания, что позволяет сохранять данные даже при выключении основного питания.

Преимущества

• Надежность хранения данных: nvSRAM обеспечивает сохранность данных даже при сбое питания.
• Высокая скорость доступа: Цикл записи и чтения данных осуществляется за 100 нс, что делает её пригодной для быстродействующих приложений.
• Простота интеграции: Совместима с большинством стандартных микропроцессоров благодаря параллельному интерфейсу.
• Широкий диапазон напряжений питания: Работает при напряжениях от 3.0 В до 3.6 В.
• Длительный срок службы: Встроенный литиевый аккумулятор обеспечивает долгосрочное хранение данных.

Недостатки

• Ограниченный температурный диапазон: Работа только в пределах от 0°C до 70°C.
• Цена: Стоимость может быть выше по сравнению с обычной SRAM из-за встроенного литиевого аккумулятора.

Типовое использование

• Системы промышленной автоматизации: Накопление критически важных данных при сбоях электропитания.
• Медицинское оборудование: Надежное хранение конфиденциальной информации.
• Коммуникационные устройства: Быстродействующая память для обработки данных.
• Бортовые системы автомобилей: Хранение данных диагностики и настройки.

Рекомендации по применению

• Интеграция в микропроцессорные системы: Простое подключение к стандартным микропроцессорам и микроконтроллерам благодаря параллельному интерфейсу.
• Проекты с повышенными требованиями к надежности данных: Используйте DS1245WP-100, чтобы уберечь данные в критически важных приложениях от потерь при сбоях питания.
• Необходимость в быстром доступе к данным: Эта nvSRAM подойдет там, где требуется высокая скорость обмена данными.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Non-Volatile SRAM (nvSRAM)
• Объем памяти: 1 Мбит (128К x 8)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время доступа: 100 нс
• Напряжение питания: 3.0 В ~ 3.6 В
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
• Корпус: 34-PowerCap Module
• Срок службы батареи: Более 10 лет при комнатной температуре

Возможные аналоги

• DS1245AB-120+ от Analog Devices / Maxim Integrated: Подобный nvSRAM модуль с большим временем доступа 120 нс.
• DS1250Y-70 от Analog Devices / Maxim Integrated: Подобный модуль на 5 В с временем доступа 70 нс.
• IS61WV25616BLL-10TLI от ISSI: SRAM аналог с высокой скоростью доступности.

DS1245WP-100 — это идеальное решение для приложений, требующих быстродействующей энергонезависимой памяти с длительным сроком хранения данных и высокой надежностью.