DS1245W-100+

9 840,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

DS1245W-100+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1245W-100+ — это высокоэффективное энергонезависимое статическое ОЗУ (NVSRAM) емкостью 1 Мбит, предлагаемое компанией Analog Devices / Maxim Integrated. Этот компонент объединяет быстродействующее статическое ОЗУ (SRAM) и энергозависимое хранилище данных, что позволяет сохранять данные даже при сбоях питания.

Преимущества

  • Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отключении питания.
  • Высокая скорость: Время доступности данных (Access Time) — 100 нс, что делает его пригодным для широкого спектра приложений.
  • Универсальность: Поддержка диапазона напряжений питания от 3 В до 3.6 В.
  • Надежность хранения: Не требует батареи для сохранения данных, что делает компонент простым в эксплуатации и долговечным.

Недостатки

  • Рабочая температура: Ограниченный диапазон рабочих температур от 0°C до 70°C, что может быть недостатком для применения в экстремальных условиях.
  • Размер и монтаж: Компонент распространяется в корпусе 32-DIP, что требует достаточно места на печатной плате.

Типовое использование

  • Промышленные системы управления: Хранение важных параметров настройки и данных журналов.
  • Системы офисной и бизнес-техники: Резервное копирование данных при сбоях электропитания.
  • Медицинское оборудование: Хранение конфигурационных данных и истории работы.
  • Встраиваемые системы: Автономные устройства, требующие надёжного хранения данных.

Рекомендации по применению

  1. Убедитесь в совместимости: Проверьте, что устройство соответствует требованиям вашего приложения по напряжению питания.
  2. Разработка печатной платы: Продумайте разъемы и пространство для установки компонента в корпусе 32-DIP.
  3. Тестирование и интеграция: Тестируйте компонент в условиях, максимально приближённых к эксплуатационным, для обеспечения надежности работы.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Non-Volatile SRAM (NVSRAM)
  • Размер памяти: 1 Мбит (128К х 8 бит)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 100 нс
  • Диапазон напряжения питания: 3 В ~ 3.6 В
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
  • Корпус: 32-DIP Module (0.600", 15.24 мм)

Возможные аналоги

  • Cypress CY14B104LA-ZS45XI: 4 Мбит, параллельный NVSRAM, более высокая емкость и расширенный диапазон рабочих температур.
  • Microchip Technology 23LC1024-I/P: 1 Мбит, SPI NVSRAM, альтернатива с последовательным интерфейсом.

С этим компонентом вы получите надежное и высокоскоростное решение для хранения данных в различных приложениях.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК