DS1245AB-70IND

6 240,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

DS1245AB-70IND - NVSRAM от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

Микросхема DS1245AB-70IND представляет собой 1-мегабитное NVSRAM (Non-Volatile Static RAM) с параллельным интерфейсом для быстрого доступа к данным. Это энергонезависимая память, способная сохранять информацию в условиях отсутствия питания благодаря встроенной батарее. Основное предназначение DS1245AB-70IND - это хранение критически важной информации, требующей быстрого и постоянного доступа.

Преимущества

  • Энергонезависимость: Сохранение данных при отключении питания благодаря встроенной батарее.
  • Высокая скорость доступа: Время доступа 70 нс, что обеспечивает быстрое чтение и запись данных.
  • Широкий температурный диапазон: Работа в температурном диапазоне от -40°C до +85°C, что позволяет использовать микросхему в различных промышленных и экстремальных условиях.
  • Простота интеграции: Параллельный интерфейс и стандартный корпус DIP32 облегчают внедрение в существующие системы.

Недостатки

  • Обозначен как устаревший: Может быть трудно найти на рынке в будущем.
  • Требуется замена батареи: Встроенная батарея имеет ограниченный срок службы, что требует периодической замены для сохранения энергонезависимых данных.

Типовое использование

  • Хранение конфигурационных данных для оборудования.
  • Временные буфера для критических систем, таких как RAID-контроллеры.
  • Промышленные и медицинские системы, требующие быстрого доступа к данным и их сохранение при выключении питания.

Рекомендации по применению

  • Замена батареи: Регулярно проверяйте состояние встроенной батареи и меняйте её при необходимости для обеспечения энергонезависимости.
  • Использование тепловых радиаторов: При применении в условиях высокой температуры для поддержания долговечности микросхемы.
  • Внимательное проектирование схемы питания: Учтите требования по напряжению питания (4.75V ~ 5.25V) для надёжной работы.

Основные технические характеристики

  • Память: 1 Мбит (128K х 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 70 нс
  • Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
  • Температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
  • Корпус: 32-выводной DIP (0.600", 15.24mm)

Возможные аналоги

  • DS1230AB-70: Альтернатива от того же производителя с похожими характеристиками.
  • X28C512JI-15: Non-volatile памяти EEPROM на 512Кбит с параллельным интерфейсом от Intersil.
  • IS61WV25616BLL-10TLT: Высокопроизводительная статическая RAM на 4 Мбит с параллельным интерфейсом от ISSI.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК