DS1230Y-70IND+

8 160,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DS1230Y-70IND+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1230Y-70IND+ — это инновационная NVSRAM (Non-Volatile SRAM) память от компании Analog Devices / Maxim Integrated. Этот компонент объединяет в себе преимущества энергонезависимой и оперативной памяти, обеспечивая сохранность данных даже при отключении питания. Чип обладает ёмкостью 256 Кбит и работает в диапазоне температур от -40°C до +85°C.

Преимущества

  • Надёжность сохранения данных: NVSRAM сохраняет данные даже при отключении питания.
  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 70 нс.
  • Широкий температурный диапазон: От -40°C до +85°C, что позволяет использовать компонент в суровых условиях.
  • Удобство интеграции: Компонент выполнен в корпусе 28-EDIP, удобном для монтажа через отверстия (Through Hole).

Недостатки

  • Высокая стоимость: Как правило, NVSRAM дороже обычной статической памяти (SRAM).
  • Ограниченный объём: Ёмкость 256 Кбит может быть недостаточной для приложений, требующих большого объёма памяти.

Типовое использование

  • Промышленная автоматизация: Где требуется высокая надёжность и скорость обмена данными.
  • Медицинское оборудование: Для хранения критически важной информации.
  • Автомобильная электроника: Где важна стойкость к экстремальным условиям эксплуатации.
  • Встраиваемые системы: В устройствах с ограниченным энергопотреблением и необходимостью сохранения данных при отключении питания.

Рекомендации по применению

  1. Убедитесь в правильности подключения: Соблюдайте рекомендации производителя по подключению питания и земляных контактов.
  2. Используйте защитные схемы: Для предохранения от электростатических разрядов и резких скачков напряжения.
  3. Рассмотрите тепловые условия: Обратите внимание на требования к теплоотведению, особенно в замкнутых пространствах.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Разрядность шины адреса: 32K x 8
  • Ёмкость памяти: 256 Кбит
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 70 нс
  • Напряжение питания: 4.5В ~ 5.5В
  • Ток потребления (при активной работе): до 85 мА
  • Ток потребления (в standby режиме): до 10 мкА
  • Температурный диапазон: -40°C ~ +85°C
  • Корпус: 28-EDIP

Возможные аналоги

  • CY14B256K-SP20XC от Cypress Semiconductor
  • X28C256SI-25 от Xicor Inc.
  • FM18L08-70-PG от Ramtron International Corporation

Эти аналоги могут различаться по определённым характеристикам, таким как время доступа и напряжение питания, поэтому перед выбором рекомендуется внимательно ознакомиться с их спецификациями.

Заключение

DS1230Y-70IND+ от Analog Devices / Maxim Integrated — это надёжный выбор для приложений, требующих сохранения данных даже при отсутствии постоянного электропитания. Благодаря своим высокоскоростным характеристикам и широкому диапазону рабочих температур, эта NVSRAM память идеально подходит для использования в критически важных системах и устройствах.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК