DS1230Y-70+

DS1230Y-70+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1230Y-70+ – это энергонезависимая статическая память с произвольным доступом (NVSRAM) емкостью 256 Кбит (32K x 8). Этот компонент объединяет производительность статической памяти (SRAM) и энергонезависимость памяти флеш или EEPROM. Он обеспечивает быстрое время доступа до 70 нс и работает при напряжении от 4.5 до 5.5 В.

Преимущества

• Энергонезависимость: данные сохраняются даже при отсутствии питания.
• Быстрое время доступа: обеспечивает высокую производительность с временем доступа 70 нс.
• Широкий температурный диапазон: подходит для различных применений, от 0°C до 70°C.

Недостатки

• Относительно высокая стоимость по сравнению с обычной SRAM.
• Ограниченный температурный диапазон, не подходит для экстремальных условий.

Типовое использование

• Промышленная автоматизация
• Автомобильная электроника
• Оборудование для связи
• Оборудование с ограниченным энергопотреблением, такое как портативные устройства

Рекомендации по применению

1. Ограничение по температуре: Используйте этот компонент в рамках температурного диапазона 0°C до 70°C для обеспечения стабильной работы.
2. Энергопотребление: Обеспечьте надлежащее питание в пределах диапазона 4.5 В до 5.5 В.
3. Подключение: Следуйте типовым схемам подключения для правильного интегрирования в ваши схемы.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Энергонезависимая SRAM (NVSRAM)
• Емкость памяти: 256 Кбит (32K x 8)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время цикла записи: 70 нс
• Напряжение питания: 4.5 В ~ 5.5 В
• Температурный диапазон: 0°C ~ 70°C
• Корпус: 28-выводной DIP (0.600", 15.24 мм)
• Пакет поставки: 28-выводной EDIP

Возможные аналоги

• DS1230Y-85+: Аналог с временем доступа 85 нс.
• DS1230AB-70+: Похожая модель с аналогичной емкостью и временем доступа.

При выборе аналогов следует учитывать требуемое время доступа, напряжение питания и температурный диапазон.