DS1230Y-200+

8 400,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DS1230Y-200+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание: DS1230Y-200+ — это энергонезависимая статическая память (NVSRAM), предлагающая 256Kбит емкости с параллельным интерфейсом доступа в исполнении 28-DIP. Этот чип представляет собой идеальное решение для сохрания данных в случае потери питания, благодаря встроенной литиевой батарее, обеспечивающей долговременное сохранение данных.

Преимущества:

  • Энергонезависимость: Встроенная литиевая батарея сохраняет данные при выключении питания.
  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 200 нс, что делает этот чип быстрым и эффективным.
  • Широкий диапазон напряжений: Работает при напряжении от 4,5В до 5,5В.
  • Простота интеграции: Стандартный 28-DIP корпус позволяет легко включать чип в существующие схемы.

Недостатки:

  • Ограниченный температурный диапазон: Рабочая температура от 0°C до 70°C, что может не подходить для экстремальных условий.

Типовое использование:

  • Системы архивирования данных: Идеально подходит для приложений, где требуется долгосрочное сохранение данных.
  • Моментальное сохранение системы: Используется в устройствах, требующих мгновенного восстановления состояния после потери питания.
  • Контрольные и управляющие системы: Подходит для промышленных приложений, где надежность хранения данных критична.

Рекомендации по применению:

  • Используйте стабилизированные источники питания: Это обеспечит надежную работу устройства и защиту встроенной батареи.
  • Защищайте от воздействий окружающей среды: Учитывайте температурные и влажностные условия для обеспечения долгосрочной стабильной работы.
  • Периодически проверяйте состояние батареи: Для длительной эксплуатации важно следить за состоянием встроенной батареи и при необходимости заменять модуль.

Основные технические характеристики:

  • Тип памяти: NVSRAM (энергонезависимая SRAM)
  • Объем памяти: 256Kбит (32K x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время записи: 200 нс
  • Время доступа: 200 нс
  • Напряжение питания: 4.5В ~ 5.5В
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
  • Монтаж: Сквозное отверстие
  • Корпус: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Возможные аналоги:

  • DS1230AB-200+
  • FM1608-120-PG

Этот компонент обеспечивает отличную производительность и надежность для широкого спектра применений, и является незаменимым элементом в случаях, требующих хранения данных при отключении питания.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК