DS1230Y-120+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1230Y-120+ — это энергонезависимая статическая память (NVSRAM) производства компании Analog Devices / Maxim Integrated. Этот микросхемный модуль предоставляет 256 Кбит энергонезависимой памяти с параллельным интерфейсом и временем доступа 120 нс. Микросхема обеспечивает долгосрочное хранение данных без необходимости в перезагрузке благодаря встроенному резервному источнику питания.

Преимущества

• Стабильность данных: сохранение данных при отключении питания благодаря встроенной литиевой батарее.
• Высокая скорость доступа: время доступа составляет всего 120 нс, что обеспечивает быстрое выполнение операций чтения и записи.
• Простота интеграции: стандартный корпус DIP-28 позволяет легко использовать микросхему в различных проектах и хорошо подходит для прототипирования и мелкосерийного производства.

Недостатки

• Ограниченный диапазон температур: рабочая температура ограничена диапазоном от 0°C до 70°C, что может быть недостаточно для некоторых промышленных применений.
• Фиксированный объем памяти: объем памяти составляет 256 Кбит, что может быть недостаточно для более масштабных проектов.

Типовое использование

• Системы управления и автоматизации: обеспечение сохранности данных в случае отключения электропитания.
• Микроконтроллерные системы: энергонезависимая память для хранения конфигурационных данных и настроек.
• Модульные системы памяти: компоненты систем памяти для вычислительных и коммуникационных устройств.

Рекомендации по применению

• Обеспечьте правильное подключение: следите за правильным подключением выводов микросхемы для корректной работы устройства.
• Контролируйте температурный режим: используйте устройства в пределах рекомендуемого диапазона температур для предотвращения отказов.
• Следите за уровнем питания: обеспечьте питание в диапазоне 4.5-5.5 В для стабильной работы микросхемы.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM (энергонезависимая статическая память)
• Объем памяти: 256 Кбит
• Организация памяти: 32K x 8
• Интерфейс памяти: параллельный
• Время циклов записи/чтения: 120 нс
• Напряжение питания: 4.5В ~ 5.5В
• Рабочая температура: от 0°C до 70°C
• Тип корпуса: 28-DIP модуль (0.600", 15.24 мм)
• Тип крепления: выводное (Through Hole)

Возможные аналоги

• DS1230AB-120+: Альтернативная версия с аналогичными характеристиками.
• CY14B256K-SP25XI от Cypress Semiconductor: также является энергонезависимой SRAM памятью с сопоставимыми параметрами.

Этот компонент отлично подходит для использования в различных системах, требующих надежного хранения данных даже при отключении питания.