DS1230ABP-100

DS1230ABP-100 от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1230ABP-100 является энергонезависимым статическим оперативным запоминающим устройством (NVSRAM), предоставляемым компанией Analog Devices / Maxim Integrated. Этот компонент представляет собой 256 Кбит памяти, организованной в структуру 32K x 8-бит, с параллельным интерфейсом для быстрой и надежной передачи данных. Процесс хранения данных реализован благодаря встроенной батарее, обеспечивающей сохранность информации при отключении основного питания.

Преимущества

• Надежность данных: Встроенная литиевая батарея обеспечивает сохранность данных в случае перебоев электропитания.
• Быстрая память: Время доступа составляет 100 нс, что позволяет осуществлять быстрый обмен данными.
• Простота использования: Параллельный интерфейс обеспечивает легкую интеграцию в существующие системы.

Недостатки

• Ограниченный срок службы: Срок службы встроенной литиевой батареи ограничен и требует замены через определенный период.
• Температурные ограничения: Рабочий диапазон температур составляет от 0°C до 70°C, что может быть недостаточным для некоторых экстремальных условий эксплуатации.

Типовое использование

• Хранение конфигурационных данных: Используется для хранения критически важных данных, которые должны быть доступны даже при выключенном питании.
• Системы реального времени: Подходит для приложений, требующих быстрого доступа к данным в реальном времени.
• Промышленные контроллеры и автоматика: Применяется в системах управления процессами и контроля.

Рекомендации по применению

• Убедитесь в условиях хранения: Храните устройство при подходящей температуре и влажности, чтобы продлить срок службы батареи.
• Избегайте электромагнитных помех: При проектировании систем, учитывайте защиту от потенциальных электромагнитных помех, которые могут повлиять на работу NVSRAM.
• Планируйте замену компонентов: Осуществляйте мониторинг срока службы батареи и заменяйте модули по мере необходимости.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Non-Volatile
• Формат памяти: NVSRAM
• Размер памяти: 256Kbit (32K x 8)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время записи/слова: 100 нс
• Время доступа: 100 нс
• Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD)
• Корпус: 34-PowerCap™ Module

Возможные аналоги

• DS1230Y-100 Ind от Maxim Integrated: аналог с улучшенным температурным диапазоном.
• FM16W08-SG от Cypress Semiconductor: энергонезависимая FRAM память на 256Kбит с параллельным интерфейсом.

Использование DS1230ABP-100 в проектах позволяет обеспечить надежное хранение данных и высокую производительность работы систем, требующих операционной памяти высокой доступности и сохранности данных.