DS1230AB-85+

4 320,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DS1230AB-85+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание:

DS1230AB-85+ - это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) с объемом 256 кбит, поддерживающая параллельный интерфейс для быстрого доступа и записи данных. Данный компонент произведен компанией Analog Devices / Maxim Integrated и предназначен для применения в устройствах, требующих высокой скорости доступа к данным и сохранения их при выключении питания.

Преимущества:

  • Энергонезависимость: SRAM сохраняет данные при отключении питания, обеспечивая надежную работу устройства.
  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 85 нс, что обеспечивает быстрый обмен данными.
  • Простота использования: Параллельный интерфейс облегчает интеграцию в различные системы.
  • Долговечность данных: Обеспечивается высокая надежность хранения данных на длительный срок.

Недостатки:

  • Узкий диапазон рабочих температур: 0°C ~ 70°C, что может ограничить применение в экстремальных условиях.
  • Требования к напряжению питания: Необходимость стабильного питания в пределах 4.75V ~ 5.25V.

Типовое использование:

  • Системы управления и контроля: для хранения критически важной информации.
  • Измерительные приборы: для хранения данных измерений и настройки.
  • Промышленные автоматики: для надежного сохранения данных при сбоях питания.
  • Медицинские устройства: для хранения пользовательских данных и настроек.

Рекомендации по применению:

  • Проверьте совместимость с напряжением питания: Убедитесь, что используемая система может обеспечить стабильное питание в диапазоне 4.75V ~ 5.25V.
  • Соблюдайте температурный режим: При разработке устройств учитывайте рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C.
  • Планируйте защиту данных: Используйте компоненты для защиты от электромагнитных помех и скачков напряжения, чтобы обеспечить стабильную работу NVSRAM.

Основные технические характеристики:

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти: 256 кбит (32К x 8)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время записи: 85 нс
  • Время доступа: 85 нс
  • Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
  • Тип корпуса: 28-DIP модуль (15.24 мм)

Возможные аналоги:

  • DS1230Y-85+ от Analog Devices / Maxim Integrated: аналогичный компонент с немного другим диапазоном рабочих температур.
  • FM18W08-SG от Cypress Semiconductor: предлагающий другое решение энергонезависимой памяти с возможностью параллельного интерфейса и похожими эксплуатационными характеристиками.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК