DS1230AB-70IND+

5 040,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DS1230AB-70IND+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1230AB-70IND+ — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) объемом 256 Кбит. Устройство сочетает в себе преимущества быстрой SRAM и долговременного хранения данных, характерного для энергонезависимой памяти. Микросхема оснащена встроенными батареями и недоизменяемым (в течение жизненного цикла) устройством, что обеспечивает надежное хранение данных даже при отключении питания.

Преимущества

  • Быстрая память: Время доступа и записи составляет всего 70 нс, что обеспечивает высокую производительность.
  • Энергонезависимость: Данные хранятся даже при отсутствии питания благодаря встроенной батарее.
  • Широкий диапазон температур: Операционный диапазон от -40°C до +85°C делает устройство подходящим для использования в промышленных условиях.

Недостатки

  • Ограниченный срок службы батареи: Хотя батарейка предназначена для долговременного использования, ее ресурсы ограничены временем.
  • Относительно высокая стоимость: NVSRAM обычно дороже обычной SRAM из-за встроенных компонентов и энергонезависимой технологии.

Типовое использование

  • Промышленные системы управления: Для хранения критически важных данных, которые необходимо сохранять при отключении питания.
  • Системы резервного копирования данных: Данные, требующие быстрого доступа и долговременного хранения.
  • Автоматизированные системы: Например, в производственных процессах и робототехнике.

Рекомендации по применению

  • Проверка срока службы батареи: Регулярно проверяйте состояние встроенной батареи, чтобы убедиться в надежной сохранности данных.
  • Использование в критичных приложениях: Применяйте данное устройство в системах, где важно сохранить данные при сбое питания.
  • Избегайте экстремальных условий: Несмотря на широкий температурный диапазон, избегайте работы устройства в экстремальных условиях для продления срока службы.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти: 256Kbit (32K x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 70ns
  • Питание: 4.75V ~ 5.25V
  • Рабочая температура: -40°C ~ +85°C
  • Корпус: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
  • Монтаж: Сквозное отверстие (Through Hole)

Возможные аналоги

  • DS1230Y-70IND+ от Analog Devices / Maxim Integrated: Подобное устройство с немного измененными характеристиками.
  • CY14B256K-SP25XC от Cypress Semiconductor: Альтернативная NVSRAM с аналогичным объемом памяти и временем доступа.

Этот компонент идеально подходит для задач, где необходимо сочетание высокой скорости доступа и долговременного хранения данных, таких как промышленные и критические системы управления.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК