DS1230AB-70IND+
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
DS1230AB-70IND+ от Analog Devices / Maxim Integrated
Общее описание
DS1230AB-70IND+ — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) объемом 256 Кбит. Устройство сочетает в себе преимущества быстрой SRAM и долговременного хранения данных, характерного для энергонезависимой памяти. Микросхема оснащена встроенными батареями и недоизменяемым (в течение жизненного цикла) устройством, что обеспечивает надежное хранение данных даже при отключении питания.
Преимущества
- Быстрая память: Время доступа и записи составляет всего 70 нс, что обеспечивает высокую производительность.
- Энергонезависимость: Данные хранятся даже при отсутствии питания благодаря встроенной батарее.
- Широкий диапазон температур: Операционный диапазон от -40°C до +85°C делает устройство подходящим для использования в промышленных условиях.
Недостатки
- Ограниченный срок службы батареи: Хотя батарейка предназначена для долговременного использования, ее ресурсы ограничены временем.
- Относительно высокая стоимость: NVSRAM обычно дороже обычной SRAM из-за встроенных компонентов и энергонезависимой технологии.
Типовое использование
- Промышленные системы управления: Для хранения критически важных данных, которые необходимо сохранять при отключении питания.
- Системы резервного копирования данных: Данные, требующие быстрого доступа и долговременного хранения.
- Автоматизированные системы: Например, в производственных процессах и робототехнике.
Рекомендации по применению
- Проверка срока службы батареи: Регулярно проверяйте состояние встроенной батареи, чтобы убедиться в надежной сохранности данных.
- Использование в критичных приложениях: Применяйте данное устройство в системах, где важно сохранить данные при сбое питания.
- Избегайте экстремальных условий: Несмотря на широкий температурный диапазон, избегайте работы устройства в экстремальных условиях для продления срока службы.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Объем памяти: 256Kbit (32K x 8)
- Интерфейс: Параллельный
- Время доступа: 70ns
- Питание: 4.75V ~ 5.25V
- Рабочая температура: -40°C ~ +85°C
- Корпус: 28-DIP (0.600", 15.24mm)
- Монтаж: Сквозное отверстие (Through Hole)
Возможные аналоги
- DS1230Y-70IND+ от Analog Devices / Maxim Integrated: Подобное устройство с немного измененными характеристиками.
- CY14B256K-SP25XC от Cypress Semiconductor: Альтернативная NVSRAM с аналогичным объемом памяти и временем доступа.
Этот компонент идеально подходит для задач, где необходимо сочетание высокой скорости доступа и долговременного хранения данных, таких как промышленные и критические системы управления.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.