DS1230AB-200IND
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
DS1230AB-200IND - Энергонезависимая память NVSRAM от Analog Devices / Maxim Integrated
Общее описание:
DS1230AB-200IND - это энергонезависимая статическая оперативная память (SRAM) на 256Kбит от компании Analog Devices / Maxim Integrated. Память выполнена по технологии NVSRAM (Non-Volatile SRAM) и имеет организацию 32K x 8. Она сохраняет данные даже при выключении питания, что делает ее идеальным выбором для приложений, требующих высокой надежности хранения данных.
Преимущества:
- Энергонезависимость: сохранение данных при отключении питания.
- Высокая скорость: время доступа составляет всего 200 нс.
- Надежность: широкий диапазон рабочих температур от -40°C до 85°C обеспечивает стабильную работу в экстремальных условиях.
Недостатки:
- Устаревший статус: компоненты имеют статус "устаревшие", что может затруднить их приобретение для новых разработок.
- Относительно высокая стоимость: по сравнению с более новыми технологиями энергонезависимой памяти.
Типовое использование:
- Системы сбора и хранения данных
- Промышленные контроллеры и автоматизация
- Медицинские устройства
- Программируемые логические контроллеры (PLCs)
Рекомендации по применению:
- Использовать данный компонент в системах, критичных к сохранению данных при потере питания.
- Обратите внимание на доступность и наличие аналогов, учитывая устаревший статус компонента.
- Рассмотрите использование в приложениях, требующих высокой скорости доступа к данным.
Основные технические характеристики:
- Тип памяти: NVSRAM (энергонезависимая SRAM)
- Объем памяти: 256Кбит
- Организация памяти: 32К x 8
- Интерфейс: Параллельный
- Время записи: 200 нс
- Время доступа: 200 нс
- Напряжение питания: 4.75В ~ 5.25В
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (ТА)
- Тип монтажа: Сквозное отверстие (Through Hole)
- Корпус: 28-DIP (Dual In-line Package), ширина 15.24мм
Возможные аналоги:
- DS1230Y-200+ - аналогичная память NVSRAM от того же производителя, является современной заменой.
- CY14B256K-SZ25XI - энергонезависимая SRAM от Cypress Semiconductor с аналогичными характеристиками.
- FM1608-120-PG - FRAM от Ramtron с сопоставимыми параметрами энергонезависимости и временем доступа.
Заключение:
DS1230AB-200IND от Analog Devices / Maxim Integrated - это надежное решение для приложений, требующих быстрой и энергонезависимой памяти. Однако, учитывая его устаревший статус, рекомендуется рассмотреть более современные аналоги, если предполагается новое проектирование.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.