DS1230AB-200IND

4 320,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DS1230AB-200IND - Энергонезависимая память NVSRAM от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание:

DS1230AB-200IND - это энергонезависимая статическая оперативная память (SRAM) на 256Kбит от компании Analog Devices / Maxim Integrated. Память выполнена по технологии NVSRAM (Non-Volatile SRAM) и имеет организацию 32K x 8. Она сохраняет данные даже при выключении питания, что делает ее идеальным выбором для приложений, требующих высокой надежности хранения данных.

Преимущества:

  • Энергонезависимость: сохранение данных при отключении питания.
  • Высокая скорость: время доступа составляет всего 200 нс.
  • Надежность: широкий диапазон рабочих температур от -40°C до 85°C обеспечивает стабильную работу в экстремальных условиях.

Недостатки:

  • Устаревший статус: компоненты имеют статус "устаревшие", что может затруднить их приобретение для новых разработок.
  • Относительно высокая стоимость: по сравнению с более новыми технологиями энергонезависимой памяти.

Типовое использование:

  • Системы сбора и хранения данных
  • Промышленные контроллеры и автоматизация
  • Медицинские устройства
  • Программируемые логические контроллеры (PLCs)

Рекомендации по применению:

  • Использовать данный компонент в системах, критичных к сохранению данных при потере питания.
  • Обратите внимание на доступность и наличие аналогов, учитывая устаревший статус компонента.
  • Рассмотрите использование в приложениях, требующих высокой скорости доступа к данным.

Основные технические характеристики:

  • Тип памяти: NVSRAM (энергонезависимая SRAM)
  • Объем памяти: 256Кбит
  • Организация памяти: 32К x 8
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время записи: 200 нс
  • Время доступа: 200 нс
  • Напряжение питания: 4.75В ~ 5.25В
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (ТА)
  • Тип монтажа: Сквозное отверстие (Through Hole)
  • Корпус: 28-DIP (Dual In-line Package), ширина 15.24мм

Возможные аналоги:

  • DS1230Y-200+ - аналогичная память NVSRAM от того же производителя, является современной заменой.
  • CY14B256K-SZ25XI - энергонезависимая SRAM от Cypress Semiconductor с аналогичными характеристиками.
  • FM1608-120-PG - FRAM от Ramtron с сопоставимыми параметрами энергонезависимости и временем доступа.

Заключение:

DS1230AB-200IND от Analog Devices / Maxim Integrated - это надежное решение для приложений, требующих быстрой и энергонезависимой памяти. Однако, учитывая его устаревший статус, рекомендуется рассмотреть более современные аналоги, если предполагается новое проектирование.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК