DS1230AB-200

4 080,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

DS1230AB-200 от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1230AB-200 — это энергонезависимое статическое ОЗУ (NVSRAM) емкостью 256Кбит производства Analog Devices / Maxim Integrated. Это устройство объединяет SRAM и энергонезависимую память, что позволяет сохранять данные даже при отключении питания. Оно выполнено в корпусе EDIP на 28 выводов, обеспечивая надёжное соединение через сквозные отверстия (Through Hole).

Преимущества

  • Энергонезависимость: Данные сохраняются без необходимости поддержания питания.
  • Надежность: Долговечная память с низким временем доступа.
  • Высокая скорость чтения/записи: Время доступа 200 нс обеспечивает быструю работу.
  • Простота интеграции: Стандартный корпус EDIP-28 и параллельный интерфейс упрощают монтаж и подключение.

Недостатки

  • Устаревший статус: Производство компонента прекращено, что может усложнить его закупку и снабжение.
  • Ограниченный температурный диапазон: Рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C может быть недостаточным для некоторых промышленных применений.

Типовое использование

  • Системы хранения данных, требующие сохранения информации при отключении питания.
  • Встроенные системы и микроконтроллеры, нуждающиеся в быстрой энергонезависимой памяти.
  • Промышленные и медицинские приборы, требующие высокой надежности данных.

Рекомендации по применению

  • Убедитесь в наличии стабильного источника питания для нормальной работы устройства.
  • Следует учитывать ограничения по температурному диапазону при проектировании конечного устройства.
  • Используйте экранирование и фильтрацию питания для минимизации электромагнитных помех и улучшения надежности работы.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (энергонезависимое SRAM)
  • Объем памяти: 256Кбит (32К x 8)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время записи/чтения: 200 нс
  • Время доступа: 200 нс
  • Напряжение питания: 4.75В ~ 5.25В
  • Рабочий температурный диапазон: от 0°C до 70°C
  • Корпус: 28-выводной DIP (0.600", 15.24мм)

Возможные аналоги

  • DS1230Y от того же производителя, предлагающий аналогичные характеристики с более широким температурным диапазоном.
  • CY14B256K-SP35 от Infineon, предлагающий аналогичную NVSRAM память с улучшенными характеристиками и доступностью на рынке.

Заключение

DS1230AB-200 — это надежный и эффективный компонент для реализации энергонезависимой памяти в широком спектре приложений. Учитывайте его устаревший статус и ограниченный температурный диапазон при выборе для новых разработок.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК