DS1230AB-120+

DS1230AB-120+ от Analog Devices / Maxim Integrated

Общее описание

DS1230AB-120+ — это энергонезависимая SRAM-память (Non-Volatile SRAM, NVSRAM) объемом 256Кбит, которая сочетает в себе быстроту работы стандартной статической оперативной памяти (SRAM) и долговечность данных энергонезависимой памяти. Устройство выполнено в корпусе 28-EDIP (Dual In-line Package), что облегчает его установку на печатную плату.

Преимущества

• Энергонезависимость данных: данные сохраняются даже при пропадании питания.
• Высокая скорость доступа: время доступа составляет 120 нс, что позволяет использовать память в высокоскоростных приложениях.
• Простота подключения: параллельный интерфейс предоставляет легкость интеграции с большинством микроконтроллеров.

Недостатки

• Ограниченный температурный диапазон: устройство работает при температуре от 0°C до 70°C, что может ограничить использование в экстремальных условиях.

Типовое использование

• Повышение устойчивости системы к потере данных в случае сбоев питания.
• В промышленных контроллерах и системах автоматики.
• В различных встраиваемых системах, требующих надежного хранения данных.

Рекомендации по применению

• Устройство может быть использовано в комбинации с дополнительными источниками питания для повышения надежности.
• При проектировании печатной платы следует учитывать особенности корпуса 28-EDIP для обеспечения корректного монтажа.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM
• Объем памяти: 256Kбит (32K x 8)
• Интерфейс: Параллельный
• Время записи: 120 нс
• Время доступа: 120 нс
• Напряжение питания: 4.75В ~ 5.25В
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
• Тип корпуса: 28-DIP модуль (15.24 мм)

Возможные аналоги

• DS1230YW-120+ от того же производителя, с более широким температурным диапазоном.
• Cypress CY14B256K-SP — аналог с улучшенными характеристиками скорости и температуры.

Следуя этим рекомендациям и характеристикам, вы сможете эффективно интегрировать DS1230AB-120+ в свои проекты, обеспечивая надежное и быстрое хранение данных.