DS1230AB-100+
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
DS1230AB-100+ от Analog Devices / Maxim Integrated
Общее описание: DS1230AB-100+ — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) ёмкостью 256 Кбит (32K x 8), которая сохраняет данные при отключении питания. Память выполнена в корпусе 28-EDIP, что позволяет её легко интегрировать в различные электронные устройства, обеспечивая быструю и надежную работу.
Преимущества:
- Энергонезависимость: Сохранение данных при пропадании питания.
- Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 100 нс.
- Удобство интеграции: Корпус 28-EDIP подходит для большинства стандартных приложений.
- Долговечность: Поддержка большого количества циклов чтения/записи.
Недостатки:
- Ограниченный температурный диапазон: Рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C может быть недостаточным для крайних условий.
- Относительно высокая стоимость: Цена на NVSRAM может быть выше по сравнению с обычными SRAM.
Типовое использование:
- Ключевые параметры системы: Микропроцессорные системы, требующие быстрый и частый доступ к данным.
- Промышленная автоматизация: Обеспечение непрерывности процесса при сбоях электропитания.
- Медицинское оборудование: Хранение важной информации, которая не должна теряться при отключении питания.
- Автоматизированные системы управления: Надёжное хранение конфигурационных данных и параметров.
Рекомендации по применению:
- Убедитесь, что напряжение питания находится в диапазоне 4.75V ~ 5.25V.
- При проектировании печатных плат учитывайте спецификации корпуса 28-EDIP для надёжной установки.
- Используйте для приложений, где требуется быстрое и надёжное хранение данных без риска их потери.
Основные технические характеристики:
- Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- Размер памяти: 256Kbit (32K x 8)
- Время доступа: 100 нс
- Напряжение питания: 4.75V ~ 5.25V
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
- Корпус: 28-EDIP (0.600", 15.24mm)
Возможные аналоги:
- DS1230Y-100+ – аналогичный NVSRAM с небольшими отличиями в напряжении питания.
- FTM-256T8A2H – альтернатива с улучшенными временными характеристиками и более широким температурным диапазоном.
Эти устройства предоставляют гибкие возможности для сохранения важных данных в системах, где критична стабильность и надёжность при сбоях питания.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.